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资料编号:981785
 
资料名称:FDZ293P
 
文件大小: 376K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
 
 


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4
www.fairchildsemi.com
fdz293p rev. c
fdz293p p-频道 2.5 v speci
ed powertrench
®
bga 场效应晶体管
典型 特性
0
2
4
6
8
10
00.511.5
-v
DS
, 流-源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
-3.0v
-3.5v
-2.5v
-2.0v
V
GS
= -4.5v
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
02468
-i
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
= -2.0v
-3.5v
-3.0v
-4.5v
-2.5v
图示 1. 在-区域 特性. 图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-resistanc
E
I
D
= -4.6a
V
GS
= -4.5v
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0.18
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在-阻抗 (ohm)
I
D
= -2.3 一个
T
一个
= 125
°
C
T
一个
= 25
°
C
图示 3. 在-阻抗 变化 和
温度.
图示 4. 在-阻抗 变化 和
门-至-源 电压.
0
2
4
6
8
10
0.5 1 1.5 2 2.5
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
= 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
V
DS
= -5v
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
00.20.40.60.811.2
-v
SD
, 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i
S
, 反转 流 电流 (一个)
T
一个
= 125
°
C
25
-55
V
GS
= 0v
图示 5. 转移 特性. 图示 6. 身体 二极管 向前 电压 变化
和 源 电流 和 温度.
°
C
°
C
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