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©2003 仙童 半导体 公司 fms7g20us60 rev. 一个
FMS7G20US60
一般 发射级
R
L
= 15
Ω
T
C
= 25
o
C
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 10
Ω
T
C
=   25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
0 100 200 300 400 500 600 700
0.1
1
10
80
单独的 nonrepetitive
脉冲波 t
J
≤
125
℃
V
GE
=  15v
R
G
= 10
Ω
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级  电压, v
CE
[V]
3 6 9 12 15 18 21
0.1
1
10
20
一般 cathode
di/dt = 40a/美国
T
C
=   25
℃
T
C
= 100
℃
--------
I
rr
T
rr
顶峰  反转  恢复  电流,  i
rr
[A]
反转  恢复  时间,  t
rr
[x10ns]
向前  电流,  i
F
[A]
01234
0
5
10
15
20
25
30
35
40
一般 cathode
V
GE
= 0v
T
C
=   25
℃
 
T
C
= 125
℃
向前 电流,  i
F
[A]
向前 电压,  v
F
[V]
图 14. 门 承担 特性
图 13. 切换 丧失 vs. 集电级 电流
图 15. soa 特性
图 16. rbsoa 特性
图 17. 向前 特性
0.3 1 10 100 1000
0.01
0.1
1
10
100
单独的 nonrepetitive
脉冲波 t
C
= 25
℃
曲线 必须 是 derated
成直线地 和 增加
在 温度
50us
100us
1 ms
直流 运作
I
C
最大值 (持续的)
I
C
最大值 (搏动)
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级  电压, v
CE
[V]
图 18. 反转 恢复 特性

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©2003 仙童半导体公司 fms7g20us60 rev. 一个 FMS7G20US60 一般发射级 R L = 15 Ω T C = 25 o C 一般发射级 V GE = ± 15v, r G = 10 Ω T C = 25 ℃ ━━ T C = 125 ℃ ------ 0 100 200 300 400 500 600 700 0.1 1 10 80 单独的 nonrepetitive 脉冲波 t J ≤ 125 ℃ V GE = 15v R G = 10 Ω 集电级电流, i C [A] 集电级-发射级电压, v CE [V] 3 6 9 12 15 18 21 0.1 1 10 20 一般 cathode di/dt = 40a/美国 T C = 25 ℃ T C = 100 ℃ -------- I rr T rr 顶峰反转恢复电流, i rr [A] 反转恢复时间, t rr [x10ns] 向前电流, i F [A] 01234 0 5 10 15 20 25 30 35 40 一般 cathode V GE = 0v T C = 25 ℃ T C = 125 ℃ 向前电流, i F [A] 向前电压, v F [V] 图 14. 门承担特性图 13. 切换丧失 vs. 集电级电流图 15. soa 特性图 16. rbsoa 特性图 17. 向前特性 0.3 1 10 100 1000 0.01 0.1 1 10 100 单独的 nonrepetitive 脉冲波 t C = 25 ℃ 曲线必须是 derated 成直线地和增加在温度 50us 100us 1 ms 直流运作 I C 最大值 (持续的) I C 最大值 (搏动) 集电级电流, i C [A] 集电级-发射级电压, v CE [V] 图 18. 反转恢复特性

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