G-lINK
GLT44016
256k x 16 cmos 动态 内存 和 扩展 数据 输出
8月, 2000(rev.3.1)
g-link 技术 公司
2701northwestern parkway
santa clara, ca 95051, 美国
g-link 技术公司,台湾
6f, 非. 24-2, 工业 e. rd. iv, science 为基础
工业的 园区,hsin chu, 台湾.
-1-
特性 : 描述 :
∗
262,144 words 用 16 位 organization.
∗
快 进入 时间 和 循环 时间.
∗
双 CAS 输入.
∗
低 电源 消耗.
∗
读-modify-写,
RAS
-仅有的 refresh,
CAS
-在之前-RAS refresh, hidden
refresh 和 测试 模式 能力.
∗
512 refresh 循环 每 8ms.
∗
有 在 40-管脚 400 mil soj 和 40/44
管脚 tsop(ii)
∗
单独的 5.0v
±
10% 电源 供应.
∗
所有 输入 和 输出 是 ttl
兼容.
∗
扩展 数据-输出(edo) 页 模式
运作.
这 glt44016 是 一个 262,144 x 16 位
高-效能 cmos 动态 随机的
进入 记忆. 这 glt44016 提供 快
页 模式 和 扩展 数据 输出, 和
有 两个都 字节 写 和 文字 写
进入 循环 通过 二 CAS 管脚. 这
glt44016 有 symmetric 地址 和
accepts 512-循环 refresh 在 8ms 间隔.
所有 输入 是 ttl 兼容. edo
页 模式 运作 准许 随机的 进入
向上 至 512 x 16 位 在里面 一个 页, 和 循环
时间 作 短的 作 10ns.
这 glt44016 是 最好的 suited 为
graphics, 和 dsp 产品 需要
高 效能 memories.
高 效能 25 28 30 35 40 50
最大值RAS 进入 时间, (t
RAC
)
25 ns 28ns 30ns 35 ns 40 ns 50 ns
最大值 column 地址 进入 时间, (t
CAA
) 13 ns 13ns 16ns 18 ns 20 ns 25 ns
最小值 扩展 数据 输出 页 模式 循环 时间, (t
PC
) 10 ns 10ns 12ns 13 ns 15 ns 20 ns
最小值 读/写 循环 时间, (t
RC
) 45 ns 45ns 60ns 65 ns 70 ns 85 ns
最大值 CAS 进入 时间 (t
CAC
)
8 ns 8ns 10ns 11 ns 12 ns 14 ns
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