G-lINK
GLT44016
256k x 16 cmos 动态 内存 和 扩展 数据 输出
8月, 2000(rev.3.1)
g-link 技术 公司
2701northwestern parkway
santa clara, ca 95051, 美国
g-link 技术公司,台湾
6f, 非. 24-2, 工业 e. rd. iv, science 为基础
工业的 园区,hsin chu, 台湾.
-6-
交流 特性
T
一个
= 0
°
c 至 70
°
c , v
CC
= 5 v
±
10
%
, vih/vil = 2.4/0.8 v, v
OH
/v
OL
= 2.0/0.8v
一个 最初的 pause 的 100
µ
s 和 8
CAS
-在之前-
RAS
或者
RAS
-仅有的 refresh 循环 是 必需的 之后 电源-向上.
25 28 30 35 40 50
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
读 或者 写 循环 时间 t
RC
45 45 60 65 70 85 ns
读 modify 写 循环 时间 t
RWC
67 67 79 86 91 106 ns
RAS precharge 时间
t
RP
15 15 25 25 25 30 ns
RAS 脉冲波 宽度
t
RAS
25 100k 28 100k 30 100k 35 100k 40 100k 50 100k ns
进入 时间 从 RAS
t
RAC
25 28 30 35 40 50 ns 1,2,3
进入 时间 从 CAS
t
CAC
8 8 10 11 12 14 ns 1,5,10
进入 时间 从 column 地址 t
AA
13 13 16 18 20 25 ns 1,5,6
CAS 至 输出 低-z
t
CLZ
0 0 0 0 0 0 ns
CAS 至 输出 高-z
t
CEZ
0 5 0 5 3 7 3 8 3 8 3 8 ns
RAS 支撑 时间
t
RSH
7 7 7 8 8 8 ns
RAS 支撑 时间 关联 至 OE
t
ROH
4 4 7 8 8 8 ns
CAS 支撑 时间
t
CSH
25 25 25 30 35 42 ns
CAS 脉冲波 宽度
t
CAS
4 4 4.5 5 6 8 ns
RAS 至 cas 延迟 时间
t
RCD
10 17 10 17 10 20 11 24 12 28 13 36 ns
RAS 至 column 地址 延迟 时间
t
RAD
8 12 8 12 8 14 9 17 10 20 11 25 ns 7
CAS 至 ras precharge 时间
t
CRP
5 5 5 5 5 5 ns
行 地址 设置-向上 时间 t
ASR
0 0 0 0 0 0 ns
行 地址 支撑 时间 t
RAH
4 4 6 7 8 9 ns
column 地址 设置-向上 时间 t
ASC
0 0 0 0 0 0 ns
column 地址 支撑 时间 t
CAH
4 4 5 6 6 7 ns
column 地址 至 ras 含铅的 时间 t
RAL
13 13 16 18 20 25 ns
column 地址 支撑 时间 关联 至 RAS
t
AR
19 19 25 30 34 35 ns
读 command 设置-向上 时间 t
RCS
0 0 0 0 0 0 ns
读 command 支撑 时间 关联 至 CAS
t
RCH
0 0 0 0 0 0 ns 4
读 command 支撑 时间 关联 至 RAS
t
RRH
0 0 0 0 0 0 ns 4
写 command 设置-向上 时间 t
WCS
0 0 0 0 0 0 ns 8,9
写 command 支撑 时间 t
WCH
4 4 5 6 6 6 ns
写 command 脉冲波 宽度 t
WP
4 4 5 6 6 6 ns
写 command 至 RAS 含铅的 时间
t
RWL
7 7 7 8 8 8 ns
写 command 至 CAS 含铅的 时间
t
CWL
5 5 6 7 7 7 ns
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