hm628512b 序列
12
低 v
CC
数据 保持 特性
(ta = –20 至 +70
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 conditions*
4
V
CC
为 数据 保持 V
DR
2——V
CS
≥
V
CC
– 0.2 v, vin
≥
0 v
数据 保持 电流 I
CCDR
—1*
5
50*
1
µ
AV
CC
= 3.0 v, vin
≥
0 v
CS
≥
V
CC
– 0.2 v
—1*
5
15*
2
µ
一个
—1*
5
10*
3
µ
一个
碎片 deselect 至 数据 保持 时间 t
CDR
0 — — ns 看 保持 波形
运作 恢复 时间 t
R
t
RC
*
6
—— ns
注释: 1. 为 l-版本 和 20
µ
一个 (最大值.) 在 ta = –20 至 +40
°
c.
2. 为 l-sl-版本 和 3
µ
一个 (最大值.) 在 ta = –20 至 +40
°
c.
3. 为 l-ul-版本 和 3
µ
一个 (最大值.) 在 ta = –20 至 +40
°
c.
4.
CS
控制 地址 缓存区,
我们
缓存区,
OE
缓存区, 和 din 缓存区. 在 数据 保持 模式, vin
水平 (地址,
我们
,
OE
, i/o) 能 是 在 这 高 阻抗 状态.
5. 典型 值 是 在 v
CC
= 3.0 v, ta = +25
°
c 和 指定 加载, 和 不 有保证的.
6. t
RC
= 读 循环 时间.
低 v
CC
数据 保持 定时 波形
(
CS
控制)
V
CC
4.5 v
2.2 v
0 v
CS
t
CDR
t
R
CS
≥
V
CC
– 0.2 v
V
DR
数据 保持 模式
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