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资料编号:989008
 
资料名称:HY62U8200B
 
文件大小: 188K
   
说明
 
介绍:
256K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Y62U8200B序列
rev 06/Apr. 2001
8
数据 保持 electric 典型的
T一个= 0
°
c 至 70
°
°
c 至 85
°
c (e)/
°
c 至 85
°
c (I)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
VDR vcc 为 数据 保持 /CS1>Vcc-0.2v或者CS2<0.2v, 2.0 - - V
V
ICCDR 数据 HY62U8200B vcc=3.0v, - - 25 uA
保持 HY62U8200B-E /CS1>Vcc-0.2v或者CS2<0.2v, - - 25 uA
电流 HY62U8200B-I V>Vcc-0.2v 或者 - - 25 uA
Tcdr 碎片 deselect 至 data
保持 时间
看 数据 保持 定时
图解
0 - - ns
Tr 运行 恢复 时间 5 - - ms
注释:
1. 典型 值 是 下面 这 情况 的 t一个= 25
°
c.
数据 保持 定时 图解 1
CS1
VDR
cs1>vcc-0.2v
tCDR tR
VSS
VCC
2.7v
2.2v
数据 保持 模式
数据 retention 定时 图解 2
0.4v
VDR
tCDR tR
VSS
VCC
CS2
2.7v
数据 保持 模式
cs2<0.2v
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