IC61C256AH
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整体的 电路 解决方案 公司
ahsr010-0d 4/19/2002
icsi reserves 这 正确的 至 制造 改变 至 它的 产品 在 任何 时间 没有 注意 在 顺序 至 改进 设计 和 供应 这 最好的 可能 产品. 我们 假设 非 责任 为 任何 errors
这个 将 呈现 在 这个 发行. © 版权 2000, 整体的 电路 解决方案 公司
特性
• 高-速 进入 时间: 10, 12, 15, 20, 25 ns
• 低 起作用的 电源: 400 mw (典型)
• 低 备用物品 电源
-- 250
µ
w (典型) cmos 备用物品
-- 55 mw (典型) ttl 备用物品
• 全部地 静态的 运作: 非 时钟 或者 refresh
必需的
• ttl 兼容 接口 和 输出
• 单独的 5v 电源 供应
描述
这
ICSI
ic61c256ah 是 非常 高-速, 低 电源, 32,768
文字 用 8-位 静态的 rams. 它们 是 fabricated 使用
ICSI
's
高-效能 cmos 技术. 这个 高级地 可依靠的 pro-
cess 结合 和 革新的 电路 设计 技巧, 产量
进入 时间 作 快 作 8 ns 最大.
当
CE
是 高 (deselected), 这 设备 假设 一个 备用物品
模式 在 这个 这 电源 消耗 是 减少 至
50
µ
w (典型) 和 cmos 输入 水平.
容易 记忆 expansion 是 提供 用 使用 一个 起作用的 低
碎片 使能 (
CE
). 这 起作用的 低 写 使能 (
我们
) 控制
两个都 writing 和 读 的 这 记忆.
这 ic61c256ah 是 管脚 兼容 和 其它 32k x
8
SRAMs
和 是 有 在 28-管脚 300mil pdip, 300mil soj, 和
8*13.4mm tsop-1 包装, 330 mil sop.
32k x 8 高-速 cmos 静态的 内存
函数的 块 图解
a0-a14
CE
OE
我们
32k x 8
记忆 排列
解码器
column i/o
控制
电路
地
VCC
i/o
数据
电路
i/o0-i/o7
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