9
ICS9161A
电的 特性 在 5.0v
(持续)
注释:
1. 参数 有保证的 用 设计 和 描绘. 不 100% 测试 在 生产.
2. 为 涉及 发生率 其它 比 14.81818 mhz, 这 前-承载 只读存储器 发生率 将 变换 proportionally.
3. 职责 循环 是 量过的 在 cmos 门槛 水平. 在 5 伏特, v
TH
=2.5 伏特.
4. 如果 这 间隔 是 too 短的, 看 这 时间-输出 间隔 部分 在 这 控制 寄存器 定义.
scitsiretcarahCCA
NOITPIRCSEDE毫安NLOBMYSNIMPYTX一个MSTINU
eulavrotallicsoecnerefeR
2
ecnerefeR
ycneuqerf
f
FER
181813.4106zHM
f/1
FER
doirepecnerefeRt
FER
6.618048.960001sn
rotallicsotupniehtrofelcycytuD
tsadenifed
1
t/
FER
elcycytudtupn它
1
%52-%57-
seulavrotallicsotuptuO
kcolctuptuO
sdoirep
t
2
021(33.8
)zhm
-
093(4652
)zhk
sn
srotallicsotuptuoehtrofelcycytuD
3
elcycytudtuptuOt
3
%54-%55-
aotnisrotallicsotuptuoehtrofemitesiR
daolFp52
semitesiRt
4
--3sn
aotnisrotallicsotuptuoehtrofemitllaF
daolFp52
semitllaFt
5
--3sn
tuptuoycneuqerfdlOtuptuo1qerft
1qerf
----
tuptuoycneuqerfweNtuptuo2qerft
2qerf
----
elihwhgihsniamertuptuokcolcemiT
ycneuqerfecnereferotsexumtuptuo
f
FER
emitxumt
一个
t5.0
FER
-t5.1
FER
sn
rofdnagnimmargorplairesroflavretnI
elttesotsegnahcOCV
4
lavretnituo-emiTt
tuo-发出
25 01sm
elihwhgihsniamertuptuokcolcemiT
eulavycneuqerfwenotsexumtuptuo
t
2qerf
emitxumt
B
t5.0
FER
t5.1
FER
-sn
otniogotsrotallicsotuptuoehtrofemiT
langis-sidtuoretfaedometatsirt
noitressa
etatsirTt
6
-52-sn
revocerotsrotallicsotuptuoehtrofemiT
langis-sidtuoretfaedometatsirtmorf
hgihseog
dilavKLCt
7
-21-sn
noitarepofoedomnwod-rewoprofemit
tceffeekatot
nwod-rewoPt
8
-52-sn
nwod-rewopmorfyrevocerrofemit
KLCdilavaotedom
pu-rewoPt
9
-21-sn
retfahgihogotKLCMrofemiT
hgihdetressasiNWDRWP
hgihTUOKLCMt
01
0-t
NWDRWP
sn
fotroirpKLCMfoyaleD
KLCM
talangis
tuptuo
yaledTUOKLCMt
11
t5.0
KLCM
-t5.1
KLCM
sn
kcolclairesfodoirepkcolCt
klcres
t
•
2
FER
-2 sm
emitpu-teSt
美国
02--sn
emitdloHt
DH
01--sn
dnammocdaoLt
dmcdl
0-t
1
03+sn
: 点此下载
