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idt70v08s/l
高-速 64k x 8 双-端口 静态的 内存 工业的 和 commercial 温度 范围
注释:
1. 转变 是 量过的 0mv 从 低 或者 高-阻抗 电压 和 输出 测试 加载 (图示 2).
2. 这个 参数 是 guaranted 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
3. 至 进入 内存,
CE
= v
IL
和
SEM
= v
IH
. 至 进入 semaphore,
CE
= v
IH
和
SEM
= v
IL
. 也 情况 必须 是 有效的 为 这 全部 t
EW
时间.
4. 这 规格 为 t
DH
必须 是 符合 用 这 设备 供应 写 数据 至 这 内存 下面 所有 运行 情况. 虽然 t
DH
和 t
OW
值 将 相异 在 电压 和
温度, 这 真实的 t
DH
将 总是 是 小 比 这 真实的 t
OW
.
5. 'x' 在 部分 号码 indicates 电源 比率 (s 或者 l).
6 工业的 温度: 为 明确的 speeds, 包装 和 powers 联系 your 销售 办公室.
标识 参数
70V08X15
com'l 仅有的
70V08X20
com'l 仅有的
Unit最小值 最大值 最小值 最大值
WRITECYCLE
t
WC
写 循环 时间 15
____
20
____
ns
t
EW
ChipEnable至终止-of-写
(3 )
12
____
15
____
ns
t
AW
地址 有效的 至 终止-的-写 12
____
15
____
ns
t
作
地址 设置-向上 时间
(3 )
0
____
0
____
ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 12
____
15
____
ns
t
WR
写 恢复 时间 0
____
0
____
ns
t
DW
数据 有效的 至 终止-的-写 10
____
15
____
ns
t
HZ
Output high-z 时间
(1,2)
____
10
____
10 ns
t
DH
数据 holdTime
(4 )
0
____
0
____
ns
t
WZ
写 使能至 输出 在 高-z
(1,2)
____
10
____
10 ns
t
OW
输出 起作用的 从 终止-的-写
(1 , 2 ,4 )
0
____
0
____
ns
t
SWRD
SEM
标记写至读时间
5
____
5
____
ns
t
SPS
SEM
标记Contention window
5
____
5
____
ns
3740 tbl 13a
标识 参数
70V08X25
com'l 仅有的
70V08X35
com'l 仅有的
Unit最小值 最大值 最小值 最大值
WRITECYCLE
t
WC
写 循环 时间 25
____
35
____
ns
t
EW
ChipEnable至终止-of-写
(3 )
20
____
30
____
ns
t
AW
地址 有效的 至 终止-的-写 20
____
30
____
ns
t
作
地址 设置-向上 时间
(3 )
0
____
0
____
ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 20
____
25
____
ns
t
WR
写 恢复 时间 0
____
0
____
ns
t
DW
数据 有效的 至 终止-的-写 15
____
20
____
ns
t
HZ
Output high-z 时间
(1,2)
____
15
____
20 ns
t
DH
数据 holdTime
(4 )
0
____
0
____
ns
t
WZ
写 使能至 输出 在 高-z
(1,2)
____
15
____
20 ns
t
OW
输出 起作用的 从 终止-的-写
(1 , 2 ,4 )
0
____
0
____
ns
t
SWRD
SEM
标记写至读时间
5
____
5
____
ns
t
SPS
SEM
标记Contention window
5
____
5
____
ns
3740tbl 13b
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