march 1988 15
飞利浦 半导体
hcmos 家族 特性 家族 规格
数据 薄板 规格 手册
介绍
这 74hcmos 数据 薄板 有 被 设计 为
使容易-的-使用. 一个 最小 的 交叉-referencing 为 更多
信息 是 需要.
典型 传播 延迟 和 频率
这 典型 传播 延迟 列表 在 这 顶 的 这 数据
薄板 是 这 平均 的 t
PLH
和 t
PHL
为 这 longest 数据
path 通过 这 设备 和 一个 15 pf 加载.
为 clocked 设备, 这 最大 频率 的 运作
是 也 给. 这 典型 运行 频率 是 这
最大 设备 运行 频率 和 一个 50% 职责
因素 和 非 constraints 在 t
r
和 t
f
.
逻辑 symbols
二 逻辑 symbols 是 给 为 各自 设备 - 这
常规的 一个 (逻辑 标识) 这个 explicitly 显示
这 内部的 逻辑 (除了 为 complex 逻辑) 和 这 iec
逻辑 标识 作 开发 用 这 iec (国际的
electrotechnical commission).
这 iec 有 被 developing 一个 非常 powerful symbolic
language 那 能 显示 这 relationship 的 各自 输入 的 一个
数字的 逻辑 电流 至 各自 输出 没有 explicitly
表明 这 内部的 逻辑.
internationally, working 组 2 的 iec 技术的
committee tc-3 有 准备好 一个 新 文档
(发行 617-12) 这个 取代
发行 117-15, 发行 在 1972.
比率
这 “ratings” 表格 (限制的 值 在 一致 和
这 绝对 最大 系统 - iec134) lists 这
最大 限制 至 这个 这 设备 能 是 subjected
没有 损坏. 这个 doesn’t imply 那 这 设备 将
函数 在 这些 extreme 情况, 仅有的 那, 当 这些
情况 是 移除 和 这 设备 运作 在里面 这
推荐 运行 情况, 它 将 安静的 是
函数的 和 它的 有用的 生命 won’t 有 被 shortened.
这 最大 评估 供应 电压 的 7 v 是 好 在下 这
典型 损坏 电压 的 18 v.
推荐 运行 情况
这 “recommended 运行 conditions”
表格 lists 这 运行 包围的 温度 和 这
情况 下面 这个 这 限制 在 这 “dc
characteristics” 和 “ac characteristics”
tables 将 是 符合. 这 表格 应当 不 是 seen 作 一个 设置 的
限制 有保证的 用 这 生产者, 但是 作 这
情况 使用 至 测试 这 设备 和 保证 那
它们 将 然后 满足 这 限制 在 这 直流 和 交流
特性 tables.
直流 特性
这 “dc characteristics” 表格 reflects 这 直流 限制
使用 在 测试. 这 值 发行 是 有保证的.
这 门槛 值 的 v
IH
和 v
IL
能 是 测试 用 这
用户. 如果 v
IH
和 v
IL
是 应用 至 这 输入, 这 输出
电压 将 是 那些 发行 在 这 “dc
characteristics” 表格. 那里 是 一个 tendency, 用
一些, 至 使用 这 发行 v
IH
和 v
IL
门槛 至 测试 一个
设备 为 符合实际 在 一个 “function-表格 exercizer”
模式. 这个 frequently 导致 问题 因为 的 这
噪音 呈现 在 这 测试 head 的 automated 测试
设备 和 cables 向上 至 1 metre. 参数 tests,
此类 作 那些 使用 为 这 输出 水平 下面 这 v
IH
和
V
IL
情况 是 完毕 fairly 慢速地, 在 这 顺序 的
milliseconds, 所以 那 那里 是 非 噪音 在 这 输入 当
这 输出 是 量过的. 但是 在 符合实际 测试, 这
输出 是 量过的 更 faster, 所以 那里 能 是 噪音
在 这 输入, 在之前 这 设备 有 assumed 它的 最终 和
准确无误的 输出 状态. 因此, 从不 使用 v
IH
和 v
IL
至 测试 这
符合实际 的 任何 hcmos 设备 类型; instead, 使用 输入
电压 的 v
CC
(为 这 高 状态) 和 0 v (为 这 低
状态). 在 非 方法 做 这个 imply 那 这 设备 是
噪音-敏感的 在 这 最终 系统.
在 这 数据 薄板, 它 将 呈现 strange 那 这 典型
V
IL
是 高等级的 比 这 最大 v
IL
. 不管怎样, 这个 是
因为 v
ILmax
是 这 最大 v
IL
(有保证的) 为 所有
设备 那 将 是 公认的 作 一个 逻辑 低. 不管怎样,
典型地 一个
高等级的
V
IL
将 也 是 公认的 作 一个 逻辑
低. 相反地, 这 典型 v
IH
是 更小的 比 它的 最小
有保证的 水平的.
为 74hcmos, 不像 ttl, 非 输出 高 短的-电路
电流 是 指定. 这 使用 的 这个 电流, 为 例子, 至
计算 传播 延迟 和 电容的 负载, 是
covered 用 这 hcmos graphs 表明 这 输出 驱动
能力 和 那些 表明 这 dependence 的
传播 延迟 在 加载 电容.
这 安静的 供应 电流 i
CC
是 这 泄漏 电流 的
所有 这 使反转-片面的 二极管 和 这 止-状态 mos
晶体管. 它 是 量过的 和 这 输入 在 v
CC
或者 地
和 是 典型地 一个 few na.
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