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IDT71V256SA
3.3v cmos 静态的 内存 256k (32k x 8-位) 工业的 和 商业的 温度 范围
定时 波形 的 写 循环 非. 2 (
CS
CS
控制 定时)
(1, 2, 3, 4)
注释:
1.
我们
或者
CS
必须 是 高 在 所有 地址 transitions.
2. 一个 写 occurs 在 这 overlap 的 一个 低
CS
和 一个 低
我们
.
3. t
WR
是 量过的 从 这 早期 的
CS
或者
我们
going 高 至 这 终止 的 这 写 循环.
4. 如果 这
CS
低 转变 occurs 同时发生地 和 或者 之后 这
我们
低 转变, 这 输出 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态.
5. 如果
OE
是 低 在 一个
我们
控制 写 循环, 这 写 脉冲波 宽度 必须 是 这 大 的 t
WP
或者 (t
WHZ
+ t
DW
) 至 准许 这 i/o 驱动器 至 转变 止 和 数据
至 是 放置 在 这 总线 为 这 必需的 t
DW
. 如果
OE
是 高 在 一个
我们
控制 写 循环, 这个 必要条件 做 不 应用 和 这 写 脉冲波 能
是 作 短的 作 这 spectified t
wp.
订货 信息 - 商业的
CS
数据
在
地址
我们
t
WR
3101 drw 10
t
AW
t
DW
t
WC
t
CW
t
DH
作
t t
(5)
数据 有效的
300 mil soj (so28-5)
300 mil 塑料 插件 (p28-2)
tsop 类型 i (so28-8)
SA
电源
XX
速
X
包装
X
处理/
温度
范围
Blank
商业的 (0
°
c 至 +70
°
c)
Y
TP
PZ
IDT71V256
10
12
15
20
速 在 nanoseconds
3101 drw 11
300 mil soj (so28-5)
tsop 类型 i (so28-8)
SA
电源
XX
速
X
包装
X
处理/
温度
范围
I
工业的 (-40
°
c 至 +85
°
c)
Y
PZ
IDT71V256
15
速 在 nanoseconds
3101 drw 12
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