首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:994139
 
资料名称:IRF7484
 
文件大小: 196K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号IRF7484的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号IRF7484的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号IRF7484的Datasheet PDF文件第3页
3

4
浏览型号IRF7484的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号IRF7484的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号IRF7484的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号IRF7484的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号IRF7484的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7484
4 www.irf.com
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
0 10 20 30 40 50 60 70 80
0
1
2
3
4
5
6
7
8
q , 总的 门 承担 (nc)
v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
I =
D
14A
V = 8V
DS
V = 20V
DS
V = 32V
DS
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
1 10 100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
10
100
1000
10000
100000
C
,
C
一个
p
一个
c
i
t
一个
n
c
e
(
p
F
)
Coss
Crss
Ciss
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
0 1 10 100 1000
V
DS
, 流-tosource 电压 (v)
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
tc = 25°c
tj = 150°c
单独的 脉冲波
1msec
10msec
运作 在 这个 范围
限制 用 r
DS
(在)
100µsec
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
V
SD
, 源-至-流 电压 (v)
0.10
1
10
100
1000
I
S
D
,
R
e
v
e
r
s
e
D
r
一个
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
T
J
= 25°c
T
J
= 150°c
V
GS
= 0v
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com