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图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Q, total gate charge (nc)
G
V, gate-至-源 电压 (v)
GS
v      = 80v
v      = 50v
v      = 20v
一个
为 测试 电路
看 图示 13
i    =9.0a
D
DS
DS
DS
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
t  = 25°c
J
V= 0V
GS
v     , 源-至-流 电压 (v)
i     , reverse drain current (一个)
SD
SD
一个
t  = 175°c
J
1
10
100
1000
1 10 100 1000
V, dra在-至-sourceVoltage (v)
DS
i   , 流 电流 (一个)
OPERATION在 这个一个RE一个LIMITE D
By r
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
t     =25°C
t     =175°C
Sin
gle P u lse
C
J
0
200
400
600
800
1000
1200
1 10 100
c, capacitance (pf)
DS
v     , 流-至-source 电压 (v)
一个
V= 0v,         f =1MHz
c      =c     +c     ,   c     sHORTED
c      =C
c      =c     +C
GS
是s         gs         gdds
rssgd
oss        ds         gd
C
iss
C
oss
C
rss

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irfr/u3910 4 www.irf.com 图 8. 最大 safe 运行范围图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 7. 典型源-流二极管向前电压 0 4 8 12 16 20 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 Q, total gate charge (nc) G V, gate-至-源电压 (v) GS v = 80v v = 50v v = 20v 一个为测试电路看图示 13 i =9.0a D DS DS DS 1 10 100 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 t = 25°c J V= 0V GS v , 源-至-流电压 (v) i , reverse drain current (一个) SD SD 一个 t = 175°c J 1 10 100 1000 1 10 100 1000 V, dra在-至-sourceVoltage (v) DS i , 流电流 (一个) OPERATION在这个一个RE一个LIMITE D By r D ds(在) 10µs 100µs 1ms 10ms 一个 t =25°C t =175°C Sin gle P u lse C J 0 200 400 600 800 1000 1200 1 10 100 c, capacitance (pf) DS v , 流-至-source 电压 (v) 一个 V= 0v, f =1MHz c =c +c , c sHORTED c =C c =c +C GS 是s gs gdds rssgd oss ds gd C iss C oss C rss

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