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资料编号:994391
 
资料名称:IRF7307
 
文件大小: 194K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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IRF7307
图 1.
典型 输出 特性
图 2.
典型 输出 特性
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 3.
典型 转移 特性
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
i , 流-至-source 电流 (一个)
D
V, d rain-至-所以urce voltage(v)
DS
20µs 脉冲波 w IDTH
T= 25 °C
一个
VGS
7.5v
5.0v
4.0v
3.5v
3.0v
2.5v
2.0v
b ottom 1.5v
1.5V
J
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
I,流-至-source c urrent (一个)
D
V, d rain-至-所以urce voltage(v)
DS
一个
VGS
7.5v
5.0v
4.0v
3.5v
3.0v
2.5v
2.0v
b ottom 1.5v
1.5v
20µs 脉冲波 w IDTH
t = 15 0°C
J
1
10
100
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
t = 25°c
t = 150°c
J
J
GS
v , gate-至-所以urce voltage(v)
D
i , 流-至-source 电流 (一个)
一个
V = 1 5V
20µs 脉冲波 w IDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
t , 接合面 temperature (°c)
R, dr 一个在- -s ourceO nRes ist一个nc e
ds(在)
(normalized)
一个
V = 4.5 V
GS
I= 4 .3a
D
0
300
600
900
1200
1 10 100
C, 电容 (pf)
DS
v , 流-至-source 电压 (v)
一个
V =0V , f = 1M H z
C= C + C ,CSHO R T E D
C= C
C= C + C
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds g d
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0 5 10 15 20 25
Q ,T ota l g 一个te C h一个r ge(nC )
G
v , g ate-至-源 voltage (v)
GS
一个
I= 2 .6a
V = 16 V
D
DS
测试 cirCUIT
S E e f I GU R E 11
n-频道
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