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资料编号:995206
 
资料名称:IXFT10N100
 
文件大小: 556K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
 
 


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图. 1. 输出 特性 图. 2. 输入 admittance
图. 5. 流 vs. 情况 温度 图. 6. 温度 dependence 的
损坏 和 门槛 电压
图. 3. R
ds(在)
vs. 流 电流 图. 4. 温度 dependence
的 流 至 源 阻抗
T
J
- degrees c
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
bv/v
g(th)
- normalized
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
BV
DSS
V
gs(th)
T
C
- degrees c
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
- amperes
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10N100
T
J
- degrees c
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
R
ds(在)
- normalized
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- amperes
0 5 10 15 20 25
R
ds(在)
- normalized
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
GS
= 10v
V
GS
- 伏特
012345678910
I
D
- amperes
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
- 伏特
0 5 10 15 20
I
D
- amperes
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
6V
7V
V
GS
= 10v
12N100
I
D
= 6a
V
GS
= 15v
5V
T
J
= 25°c
T
J
= 25°c
T
J
= 25°c
ixft 10n100 ixft 12n100
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