ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多
的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728b1 6,259,123b1 6,306,728b1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065b1 6,162,6656,534,343 6,583,505
图. 7. 门承担 典型的 曲线
图. 8. 电容 曲线 图. 9. 源 电流 vs. 源
至 流 电压
图.10. 瞬时热的 阻抗
V
DS
- 伏特
1 10 100 1000
I
D
- amperes
0.1
1
10
门 承担 - ncoulombs
0 25 50 75 100 125 150
V
GS
- 伏特
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- 伏特
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I
D
- amperes
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
- 伏特
0 5 10 15 20
电容 - pf
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
时间 - 秒
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
热的 回馈 - k/w
0.001
0.01
0.1
1
d=0.5
C
rss
C
oss
10µs
100µs
1ms
10ms
100ms
C
iss
限制 用 r
ds(在)
V
DS
= 500v
I
D
= 6a
I
G
= 10ma
单独的 脉冲波
f = 1mhz
V
DS
= 25v
T
J
= 125°c
T
J
= 25°c
d=0.2
d=0.1
d=0.05
d=0.01
d=0.02
ixft 10n100 ixft 12n100
: 点此下载
