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资料编号:995251
 
资料名称:IXGQ20N120B
 
文件大小: 598K
   
说明
 
介绍:
High Voltage IGBT with Diode
 
 


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g = 门 C=集电级
e = 发射级 tab = 集电级
标识 测试 情况 最大 比率
V
CES
T
J
= 25
°
c 至 150
°
C 1200 V
V
CGR
T
J
= 25
°
c 至 150
°
c; r
GE
1200 V
V
GES
持续的
±
20 V
V
GEM
瞬时
±
30 V
I
C25
T
C
= 25
°
C40A
I
C110
T
C
= 110
°
C20A
I
CM
T
C
= 25
°
c, 1 ms 100 一个
SSOA
V
GE
= 15 v, t
J
= 125
°
c, r
G
= 10
I
CM
= 40 一个
(rbsoa)
clamped inductive 加载 @0.8 v
CES
P
C
T
C
= 25
°
C 190 W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
M
d
挂载 torque 1.13/10 nm/lb.在.
最大 含铅的 温度 为 焊接 300
°
C
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s
重量
6 g
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= v
GE
2.5 5.0 V
I
CES
V
CE
= v
CES
20N120B 25
µ
一个
V
GE
= 0 v 20N120BD1 50
µ
一个
I
GES
V
CE
= 0 v, v
GE
=
±
20 v
±
100 nA
V
ce(sat)
I
C
= 20a
,
V
GE
= 15 v 2.9 3.4 V
便条 2 T
J
=125
°
C 2.8 V
特性
z
国际的 标准 包装
z
igbt 和 反对-并行的 fred 为
resonant 电源 供应
- 入门 加热
- rice cookers
z
mos 门 转变-在
- 驱动 simplicity
z
快 恢复 expitaxial 二极管 (fred)
- 软 恢复 和 低 i
RM
有利因素
z
saves 空间 (二 设备 在 一个
包装)
z
容易 至 挂载 和 1 screw
(分开的 挂载 screw 孔)
z
减少 组装 时间 和 费用
ds99136(12/03)
高 电压 igbt 和 二极管
IXGQ 20N120B
IXGQ 20N120BD1
V
CES
= 1200 V
I
C25
=40A
V
ce(sat)
= 3.4 V
t
fi(典型值)
= 160 ns
BD1
至-3p (ixgq)
G
C
E
(tab)
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