ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
ixgq 20n120b
ixgq 20n120bd1
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多
的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728b1 6,259,123b1 6,306,728b1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065b1 6,162,6656,534,343
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
I
C
= 20a; v
CE
= 10 v, 12 16 S
便条 2.
C
ies
1700 pF
20N120B 70 pF
C
oes
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v, f = 1 mhz 20N120BD1 80 pF
C
res
23 pF
Q
g
62 nC
Q
ge
I
C
= 20a, v
GE
= 15 v, v
CE
= 0.5 v
CES
9nC
Q
gc
24 nC
t
d(在)
20 ns
t
ri
14 ns
t
d(止)
270 380 ns
t
fi
160 320 ns
E
止
2.1 3.5 mJ
t
d(在)
25 ns
t
ri
18 ns
E
在
1.4 mJ
t
d(止)
270 ns
t
fi
360 ns
E
止
4.5 mJ
R
thJC
0.65 k/w
R
thCK
(至-247) 0.25 k/w
反转 二极管 (fred) 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
I
F
T
C
= 90
°
C10A
V
F
I
F
= 10 一个, v
GE
= 0 v 3.3 V
I
RM
I
F
= 10 一个; -di
F
/dt = 400 一个/
µ
s, V
R
= 600 v 14 一个
t
rr
V
GE
= 0 v; t
J
= 125
°
C 120 ns
t
rr
I
F
= 1 一个; -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s; v
R
= 30 v, V
GE
= 0 v 40 ns
R
thJC
2.5 k/w
inductive 加载, t
J
= 125
°°
°°
°
C
I
C
= 20a; v
GE
= 15 v
V
CE
= 0.8 v
CES
; r
G
= r
止
= 10
Ω
便条 1
inductive 加载, t
J
= 25
°°
°°
°
C
I
C
= 20 一个; v
GE
= 15 v
V
CE
= 0.8 v
CES
; r
G
= r
止
= 10
Ω
便条 1.
注释: 1. 切换 时间 将 增加 为 v
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
,
高等级的 t
J
或者 增加 r
G
.
2. 脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环 d
≤
2 %
至-3p (ixgq) 外形
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