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资料编号:995251
 
资料名称:IXGQ20N120B
 
文件大小: 598K
   
说明
 
介绍:
High Voltage IGBT with Diode
 
 


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ixgq 20n120b
ixgq 20n120bd1
图. 16. maximumTransient 这rm al restance
0.1
1.0
1 10 100 1000
Pulse 宽度 -milliseconds
R
(th) j c
-
(ºc/w)
0.5
图. 14. 门Charge
0
3
6
9
12
15
0 10203040506070
Q
G
- nanocoulombs
V
g e
- 伏特
V
CE
= 600v
I
C
= 20a
I
G
= 10m一个
图. 15. 电容
10
100
1000
10000
0 5 10 15 20 25 30 35 40
V
c e
- 伏特
Capacitance -p f
C
ies
C
oes
C
res
f = 1 mhz
图. 13. dependence 的 转变-止
Switching time 在 temperature
200
250
300
350
400
450
500
25 35 45 55 65 75 85 95 105 115 125
T
J
- degrees摄氏度的
切换 时间 - nanoseconds
I
C
= 40a
t
d(止)
t
fi
- - - - - -
R
G
= 10
V
GE
= 15v
V
CE
= 960v
I
C
= 20a
I
C
= 10a
I
C
= 40a
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