ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
ixgq 20n120b
ixgq 20n120bd1
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多
的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728b1 6,259,123b1 6,306,728b1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065b1 6,162,6656,534,343
200 600 10000 400 800
90
100
110
120
130
140
150
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1
0.001
0.01
0.1
1
10
0 40 80 120 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
°C
-di
F
/dt
t
s
k/w
0 200 400 600 800 1000
0
40
80
120
0.0
0.4
0.8
1.2
V
FR
di
F
/dt
V
200 600 10000 400 800
0
10
20
30
40
100 1000
0
500
1000
1500
2000
01234
0
5
10
15
20
25
30
I
RM
Q
r
I
F
一个
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
一个/
µ
s
一个
V
nC
一个/
µ
s
一个/
µ
s
t
rr
ns
t
fr
Z
thJC
一个/
µ
s
µ
s
dsep 8-12a
I
F
= 20a
I
F
= 10a
I
F
= 5a
T
VJ
= 100°c
V
R
= 600v
T
VJ
= 100°c
I
F
= 10a
图. 19 顶峰 反转 电流 i
RM
相比 -di
F
/dt
图. 18 反转 恢复 承担 q
r
相比 -di
F
/dt
图. 17 向前 电流 i
F
相比 v
F
T
VJ
= 100°c
V
R
= 600v
T
VJ
= 100°c
V
R
= 600v
I
F
= 20a
I
F
= 10a
I
F
= 5a
Q
r
I
RM
图. 20 动态 参数 q
r
, i
RM
相比 t
VJ
图. 21 恢复 时间 t
rr
相比 -di
F
/dt 图. 22 顶峰 向前 电压 v
FR
和
t
fr
相比 di
F
/dt
I
F
= 20a
I
F
= 10a
I
F
= 5a
t
fr
V
FR
图. 23 瞬时 热的 阻抗 接合面 至 情况
constants 为 z
thJC
计算:
iR
thi
(k/w) t
i
(s)
1 1.449 0.0052
2 0.558 0.0003
3 0.493 0.017
T
VJ
= 25°c
T
VJ
=100°C
T
VJ
=150°C
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