低 电压 表面 挂载
500 mw avalanche 二极管
Microsemi
scottsdale 分隔
8700 e. thomas rd. po 盒 1390, scottsdale, az 85252 usa, (480) 941-6300, fax: (480) 947-1503
页 3
版权
2003
10-31-2003 rev b
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Microsemi
.
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scottsdale 分隔
in5518bur-1 thru 1n5546bur-1
(or mll5518b-1thruMLL5546b-1)
1n5518bur – 1n5546bur
graphs 和 电路
噪音 密度, (n
D
) 是 指定 在
microvolt-rms 每 正方形的-root-hertz.
真实的 度量 是 执行
使用 一个 1 khz 至 3 khz 频率
通带 过滤 在 一个 常量 齐纳 测试
电流 (i
ZT
) 在 25
o
c 包围的
温度.
P
d
评估 电源 消耗 (mw)
图示 1
噪音 密度
度量 电路
T
EC
T
一个
T
EC
, 终止 cap 温度 (
o
c) 或者 t
一个
包围的 温度 在 fr4 pc 板
图示 2
电源 减额 曲线
典型 电容 在 picofarads (pf)
齐纳 电压 v
Z
图示 4
图示 3
电容 vs. 齐纳 电压 (典型)
齐纳 二极管 特性 和 标识 identification
包装 维度
英寸 毫米
DIM
最小值 最大值 最小值 最大值
一个
0.063 0.067 1.60 1.70
B
0.130 0.146 3.30 3.70
C
0.016 0.022 0.41 0.55
垫子 布局
英寸 mm
一个
.200 5.08
B
.055 1.40
C
.080 2.03
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