LM285-1.2V_集成电路资料查询网

3-10
telcom 半导体, 公司
低 电源, bandgap
电压 references
lm285/285b-1.2v
lm285/285b-2.5v
lm385/385b-1.2v
lm385/385b-2.5v
绝对 最大 ratings*
向前 电流 .................................................... +10mA
反转 电流 .................................................... +30mA
存储 温度 范围 ................ – 65
°
c 至 +150
°
C
运行 温度 范围
至-92 包装 ................................ – 40
°
c 至 +85
°
C
表面 挂载 包装 ................... – 40
°
c 至 +85
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒)
至-92 包装 .............................................. +300
°
C
表面 挂载 包装 ................................. +300
°
C
电源 消耗
限制 用 向前/反转 电流
*functional 运作 在之上 这 绝对 最大 压力 比率 是 不
暗指.
电的 特性:
T
一个
= +25
°
c, 除非 否则 指定.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)r
反转 损坏 电压 I
R
≤
20mA V
lm285b-1.2/lm385b-1.2 1.223 1.235 1.247 1.223 1.235 1.247
T
一个
= t
低
至 t
高
(便条 1) 1.200 — 1.270 1.210 — 1.260
lm285-1.2v/lm385-1.2v 1.205 1.235 1.260 1.205 1.235 1.260
T
一个
= t
低
至 t
高
(便条 1) 1.192 — 1.273 1.192 — 1.273
I
RMIN
最小 运行 电流
µ
一个
T
一个
= +25
°
C — 8.0 15 — 8.0 15
T
一个
= t
低
至 t
高
(便条 1) — — 20 — — 20
∆
V
(br)r
反转 损坏 电压 mV
改变 和 电流
I
Rmin
= i
R
= 1.0ma, t
一个
= +25
°
C — — 1.0 — — 1.0
T
一个
= t
低
至 t
高
(便条 1) — — 1.5 — — 1.5
1.0ma = i
R
= 20ma, t
一个
= +25
°
C — —10 — —20
T
一个
= t
低
至 t
高
(便条 1) — — 20 — — 25
Z 反转 动态 阻抗 I
R
= 100
µ
一个 — 0.6 — — 0.6 —
Ω
∆
V
(br)
/
∆
T 平均 温度 系数 10
µ
一个
≤
I
R
≤
20mA — 30 100 — 30 100 ppm/
°
C
S 长 期 稳固 I
R
= 100
µ
一个, — 20 — — 20 — ppm/khr
T
一个
= +25
°
C
±
0.1
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)r
反转 损坏 电压 I
R
= 20ma V
lm285b-2.5/lm385b-2.5 2.462 2.5 2.538 2.462 2.5 2.538
T
一个
= t
低
至 t
高
(便条 1) 2.415 — 2.585 2.436 — 2.564
lm285-2.5v/lm385-2.5v 2.425 2.5 2.575 2.425 2.5 2.575
T
一个
= t
低
至 t
高
(便条 1) 2.400 — 2.600 2.400 — 2.600
I
RMIN
最小 运行 电流
µ
一个
T
一个
= +25
°
C — 13 20 — 13 20
T
一个
= t
低
至 t
高
(便条 1) — — 30 — — 30
∆
V
(br)r
反转 损坏 电压 mV
改变 和 电流
I
Rmin
= i
R
= 1.0ma, t
一个
= +25
°
C — — 1.0 — — 2.0
T
一个
= t
低
至 t
高
(便条 1) — — 1.5 — — 2.5
1.0ma = i
R
= 20ma, t
一个
= +25
°
C — —10 — —20
T
一个
= t
低
至 t
高
(便条 1) — — 20 — — 25
Z 反转 动态 阻抗 I
R
= 100
µ
一个 — 0.6 — — 0.6 — 
Ω
∆
V
(br)
/
∆
T 平均 温度 系数 20
µ
一个
≤
I
R
≤
20mA — 30 100 — 30 100 ppm/
°
C
S 长 期 稳固 I
R
= 100
µ
一个, — 20 — — 20 — ppm/khr
T
一个
= +25
°
C
±
0.1
°
C
便条:  1. T
低
= – 40
°
c 为 lm285-1.2, lm285-2.5, lm285b-1.2, lm285b-2.5
0
°
c 为 lm385-1.2, lm385b-1.2, lm385-2.5, lm385b-2.5
T
高
= +85
°
c 为 lm285-1.2, lm285-2.5, lm285b-1.2, lm285b-2.5
+70
°
c 为 lm385-1.2, lm385b-1.2, lm385-2.5, lm385b-2.5
lm285 / lm285b–1.2 lm385 / lm385b–1.2
lm285 / lm285b–2.5 lm385 / lm385b–2.5

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3-10 telcom 半导体, 公司低电源, bandgap 电压 references lm285/285b-1.2v lm285/285b-2.5v lm385/385b-1.2v lm385/385b-2.5v 绝对最大 ratings* 向前电流 .................................................... +10mA 反转电流 .................................................... +30mA 存储温度范围 ................ – 65 ° c 至 +150 ° C 运行温度范围至-92 包装 ................................ – 40 ° c 至 +85 ° C 表面挂载包装 ................... – 40 ° c 至 +85 ° C 含铅的温度 (焊接, 10 秒) 至-92 包装 .............................................. +300 ° C 表面挂载包装 ................................. +300 ° C 电源消耗限制用向前/反转电流 *functional 运作在之上这绝对最大压力比率是不暗指. 电的特性: T 一个 = +25 ° c, 除非否则指定. 标识参数测试情况最小值典型值最大值最小值典型值最大值单位 V (br)r 反转损坏电压 I R ≤ 20mA V lm285b-1.2/lm385b-1.2 1.223 1.235 1.247 1.223 1.235 1.247 T 一个 = t 低至 t 高 (便条 1) 1.200 — 1.270 1.210 — 1.260 lm285-1.2v/lm385-1.2v 1.205 1.235 1.260 1.205 1.235 1.260 T 一个 = t 低至 t 高 (便条 1) 1.192 — 1.273 1.192 — 1.273 I RMIN 最小运行电流 µ 一个 T 一个 = +25 ° C — 8.0 15 — 8.0 15 T 一个 = t 低至 t 高 (便条 1) — — 20 — — 20 ∆ V (br)r 反转损坏电压 mV 改变和电流 I Rmin = i R = 1.0ma, t 一个 = +25 ° C — — 1.0 — — 1.0 T 一个 = t 低至 t 高 (便条 1) — — 1.5 — — 1.5 1.0ma = i R = 20ma, t 一个 = +25 ° C — —10 — —20 T 一个 = t 低至 t 高 (便条 1) — — 20 — — 25 Z 反转动态阻抗 I R = 100 µ 一个 — 0.6 — — 0.6 — Ω ∆ V (br) / ∆ T 平均温度系数 10 µ 一个 ≤ I R ≤ 20mA — 30 100 — 30 100 ppm/ ° C S 长期稳固 I R = 100 µ 一个, — 20 — — 20 — ppm/khr T 一个 = +25 ° C ± 0.1 ° C 标识参数测试情况最小值典型值最大值最小值典型值最大值单位 V (br)r 反转损坏电压 I R = 20ma V lm285b-2.5/lm385b-2.5 2.462 2.5 2.538 2.462 2.5 2.538 T 一个 = t 低至 t 高 (便条 1) 2.415 — 2.585 2.436 — 2.564 lm285-2.5v/lm385-2.5v 2.425 2.5 2.575 2.425 2.5 2.575 T 一个 = t 低至 t 高 (便条 1) 2.400 — 2.600 2.400 — 2.600 I RMIN 最小运行电流 µ 一个 T 一个 = +25 ° C — 13 20 — 13 20 T 一个 = t 低至 t 高 (便条 1) — — 30 — — 30 ∆ V (br)r 反转损坏电压 mV 改变和电流 I Rmin = i R = 1.0ma, t 一个 = +25 ° C — — 1.0 — — 2.0 T 一个 = t 低至 t 高 (便条 1) — — 1.5 — — 2.5 1.0ma = i R = 20ma, t 一个 = +25 ° C — —10 — —20 T 一个 = t 低至 t 高 (便条 1) — — 20 — — 25 Z 反转动态阻抗 I R = 100 µ 一个 — 0.6 — — 0.6 — Ω ∆ V (br) / ∆ T 平均温度系数 20 µ 一个 ≤ I R ≤ 20mA — 30 100 — 30 100 ppm/ ° C S 长期稳固 I R = 100 µ 一个, — 20 — — 20 — ppm/khr T 一个 = +25 ° C ± 0.1 ° C 便条: 1. T 低 = – 40 ° c 为 lm285-1.2, lm285-2.5, lm285b-1.2, lm285b-2.5 0 ° c 为 lm385-1.2, lm385b-1.2, lm385-2.5, lm385b-2.5 T 高 = +85 ° c 为 lm285-1.2, lm285-2.5, lm285b-1.2, lm285b-2.5 +70 ° c 为 lm385-1.2, lm385b-1.2, lm385-2.5, lm385b-2.5 lm285 / lm285b–1.2 lm385 / lm385b–1.2 lm285 / lm285b–2.5 lm385 / lm385b–2.5

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