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资料编号:1000349
 
资料名称:LM285M-1.2
 
文件大小: 698K
   
说明
 
介绍:
Micropower Voltage Reference Diode
 
 


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绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 必需的,
联系 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 有效性 规格.
(便条 2)
反转 电流 30 毫安
向前 电流 10 毫安
运行 温度 范围 (便条 3)
lm185-1.2 −55˚C +125˚C
lm285-1.2 −40˚C +85˚C
lm385-1.2 0˚C 70˚C
存储 温度 −55˚C +150˚C
焊接 信息
至-92 包装: 10 秒. 260˚C
至-46 包装:10 秒. 300˚C
所以 SOT pkg.
Vapor 阶段 (60 秒.) 215˚C
Infrared (15 秒.) 220˚C
一个-450 “Surface 挂载 方法 它们的 效应
产品 Reliability” 其它 方法 焊接
表面 挂载 设备.
电的 特性
(便条 4)
lm185-1.2
lm185bx-1.2 lm385b-1.2
lm185by-1.2 lm385bx-1.2 lm385-1.2
lm285-1.2 lm385by-1.2 单位
参数 情况 典型值 lm285bx-1.2 (限制)
lm285by-1.2
测试 设计 测试 设计 测试 设计
限制 限制 限制 限制 限制 限制
(注释
5, 8)
(便条 6) (便条 5) (便条 6) (便条 5) (便条 6)
反转 损坏 T
一个
=
25˚c, 1.235 1.223 1.223 1.205 v(最小值)
电压 10 µA
I
R
20 毫安 1.247 1.247 1.260 v(最大值)
最小 运行 8 10
20
15
20
15
20
µA
电流 lm385m3-1.2 10
15
(最大值)
反转 损坏 10 µA
I
R
1mA 1
1.5
1
1.5
1
1.5
mV
电压 改变 (最大值)
电流 1 毫安
I
R
20 毫安 10
20
20
25
20
25
mV
(最大值)
反转 动态 I
R
=
100 µa, f
=
20 Hz 1
阻抗
Wideband 噪音 I
R
=
100 µa, 60 µV
(rms) 10 Hz
f
10 kHz
稳固 I
R
=
100 µa, T
=
1000 hr, 20 ppm
T
一个
=
25˚C
±
0.1˚c
平均 温度 I
R
=
100 µA
系数 (便条 7) X 后缀
30 30
ppm/˚c
Y 后缀
50 50
ppm/˚c
所有 其他
150 150 150
ppm/˚c
(最大值)
便条 1:
绝对 最大 比率 表明 限制 在之外 这个 损坏 设备 出现. 运行 比率 表明 情况 这个 设备 在-
tended 函数的, 但是 保证 明确的 效能 限制. 有保证的 规格 测试 情况, 电的 特性.
有保证的 规格 应用 仅有的 测试 情况 列表.
便条 2:
谈及 rets185h-1.2 军队 规格.
便条 3:
提升 温度 运作, T
j
最大值 是:
LM185 150˚C
LM285 125˚C
LM385 100˚C
热的 阻抗 至-92 至-46 所以-8 SOT23
θ
JA
(接合面 包围的) 180˚c/w (0.4" leads) 440˚c/w 165˚c/w 283˚c/w
170˚c/w (0.125" leads)
θ
JC
(接合面 情况) n/一个 80˚c/w n/一个 n/一个
便条 4:
参数 identified 黑体字 类型 应用 温度 extremes. 所有 其它 号码 应用 T
一个
=
T
J
=
25˚c.
lm185-1.2/lm285-1.2/lm385-1.2
www.国家的.com3
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