绝对 最大 比率
(注释 1,
2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (便条 1) 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
电压 在 任何 输入 管脚 V
DD
+ 0.3v
≥
V
≥
地 - 0.3v
电源 消耗 (便条 3) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 4) 2.0kv
静电释放 Susceptibility (便条 5) 200V
接合面 温度 (t
J
) 150˚C
热的 阻抗
θ
JA
(msop) 190˚c/w
θ
JC
(msop) 56˚c/w
θ
JA
(微观的 smd) 180˚c/w
θ
JA
(llp) (便条 10) 63˚c/w
θ
JC
(llp) (便条 10) 12˚c/w
焊接 信息
看 一个-1112 "microsmd Wafers 水平的 碎片 规模
包装."
运行 比率
(便条 2)
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 (msop &放大; ld) 2.7v
≤
V
DD
≤
5.5v
供应 电压 (itl) (note11) 2.7v
≤
V
DD
≤
3.8v
电的 特性 V
DD
=5V
(注释 1, 2, 11)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 5v, R
L
=8
Ω
+ 33µh, 度量 带宽 是
<
10Hz - 22kHz 除非 其它-
wise 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4665
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (注释 7, 8)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, 非 加载
V
在
= 0v, 8
Ω
+ 22µH 加载
14
14.5
毫安
毫安
I
SD
关闭 电流 V
SD
=V
SD 模式
(便条 9) 0.1 5.0 µA (最大值)
V
SDIH
关闭 电压 输入 高 V
SD 模式
=V
DD
1.2 1.4 V (最小值)
V
SDIL
关闭 电压 输入 低 V
SD 模式
=V
DD
1.1 0.4 V (最大值)
V
SDIH
关闭 电压 输入 高 V
SD 模式
= 地 1.2 1.4 V (最小值)
V
SDIL
关闭 电压 输入 低 V
SD 模式
= 地 1.1 0.4 V (最大值)
V
GSIH
增益 选择 输入 高 1.2 1.4 V (最小值)
V
GSIL
增益 选择 输入 低 1.1 0.4 V (最大值)
一个
V
关闭 循环 增益 V
增益 选择
=V
DD
6
5.5
6.5
dB (最小值)
dB (最大值)
一个
V
关闭 循环 增益 V
增益 选择
= 地 12
11.5
12.5
dB (最小值)
dB (最大值)
V
OS
输出 补偿 电压 10 mV
T
WU
wake-向上 时间 5 ms
P
o
输出 电源 THD+N = 3% (最大值), f
在
= 1kHz 1.4 W
THD+N 总的 调和的 Distortion+Noise P
O
= 400mW
RMS
,f
在
= 1kHz 0.8 %
R
在
差别的 输入 阻抗
V
增益 选择
=V
DD
, 增益 = 6dB 100 k
Ω
V
增益 选择
= 地, 增益 = 12dB 65 k
Ω
PSRR 电源 供应 拒绝 比率 V
波纹
= 100mV
RMS
,
f
波纹
= 217hz, 一个
V
= 6dB
输入 Terminated
52 dB
CMRR 一般 模式 拒绝 比率 V
波纹
= 100mV
RMS
,
f
波纹
= 217hz, 一个
V
= 6dB
43 dB
e
N
输出 噪音 电压 一个-weighted 过滤, V
在
= 0V 350 µV
LM4665
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