绝对 最大 比率
(便条 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (便条 11) 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
输入 电压 −0.3v 至 V
DD
+0.3v
电源 消耗 (便条 3) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 4) 2000V
接合面 温度 150˚C
热的 阻抗
θ
JC
(sop) 35˚c/w
θ
JA
(sop) 150˚c/w
θ
JA
(8 Bump 微观的 smd, 便条 12) 220˚c/w
θ
JA
(9 Bump 微观的 smd, 便条 12) 180˚c/w
θ
JC
(msop) 56˚c/w
θ
JA
(msop) 190˚c/w
θ
JA
(llp) 220˚c/w
焊接 信息
看 一个-1112 "microsmd Wafers 水平的 碎片 规模
包装."
看 一个-1187 "无铅 引线框架 包装 (llp)."
运行 比率
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 2.2v
≤
V
DD
≤
5.5v
电的 特性 V
DD
=5V
(注释 1, 2, 8)
这 下列的 规格 应用 为 这 电路 显示 在 图示 1 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4890
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (注释 7, 9)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, I
o
= 0a, 非 加载 4 8 毫安 (最大值)
V
在
= 0v, I
o
= 0a, 8
Ω
加载 5 10 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
关闭
= 0V 0.1 2.0 µA (最大值)
V
SDIH
关闭 电压 输入 高 1.2 V (最小值)
V
SDIL
关闭 电压 输入 低 0.4 V (最大值)
V
OS
输出 Ofsett 电压 7 50 mV (最大值)
R
输出-地
电阻 输出 至 地 (便条 10)
8.5
9.7 k
Ω
(最大值)
7.0 k
Ω
(最小值)
P
o
输出 电源 ( 8
Ω
) THD = 2% (最大值);f=1khz 1.0 0.8 W
T
WU
wake-向上 时间 170 220 ms (最大值)
T
SD
热的 关闭 温度
170
150 ˚C (最小值)
190 ˚C (最大值)
THD+N 总的 调和的 Distortion+Noise P
o
= 0.4 wrms; f = 1kHz 0.1 %
PSRR 电源 供应 拒绝 比率
(便条 14)
V
波纹
= 200mV sine p-p
输入 Terminated 和 10 ohms 至
地面
62 (f =
217hz)
66 (f = 1khz)
55 dB (最小值)
T
SDT
Shut 向下 时间 8
Ω
加载 1.0 ms (最大值)
电的 特性 V
DD
=3V
(注释 1, 2, 8)
这 下列的 规格 应用 为 这 电路 显示 在 图示 1 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4890
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (注释 7, 9)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, I
o
= 0a, 非 加载 3.5 7 毫安 (最大值)
V
在
= 0v, I
o
= 0a, 8
Ω
加载 4.5 9 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
关闭
= 0V 0.1 2.0 µA (最大值)
V
SDIH
关闭 电压 输入 高 1.2 v(最小值)
V
SDIL
关闭 电压 输入 低 0.4 v(最大值)
V
OS
输出 补偿 电压 7 50 mV (最大值)
R
输出-地
电阻 输出 至 地 (便条 10)
8.5
9.7 k
Ω
(最大值)
7.0 k
Ω
(最小值)
T
WU
wake-向上 时间 120 180 ms (最大值)
LM4890
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