电的 特性 V
DD
= 2.6v
(注释 1, 2)
这 下列的 规格 应用 为 这 电路 显示 在 图示 1, 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
=
25˚c. (持续)
便条 13:
这 exposed-dap 的 这 LDA10B 包装 应当 是 用电气 连接 至 地 或者 一个 用电气 分开的 铜 范围. 这 LM4990LD demo 板
有 这 exposed-dap 连接 至 地 和 一个 PCB 范围 的 86.7mils x 585mils (2.02mm x 14.86mm) 在 这 铜 顶 layer 和 550mils x 710mils (13.97mm
x 18.03mm) 在 这 铜 bottom layer.
便条 14:
这 热的 效能 的 这 LLP 和 exposed-dap TSSOP 包装 当 使用 和 这 exposed-dap 连接 至 一个 热的 平面 是 sufficient 为
驱动 4
Ω
负载. 这 MSOP 和 ITL 包装 做 不 有 这 热的 效能 需要 为 驱动 4
Ω
负载 和 一个 5V 供应 和 是 不 推荐 为
这个 应用.
便条 15:
所有 bumps 有 这 一样 热的 阻抗 和 contribute equally 当 使用 至 更小的 热的 阻抗. 所有 bumps 必须 是 连接 至 达到
指定 热的 阻抗.
外部 组件 描述
看 (
图示 1
)
组件 函数的 描述
1. R
i
反相的 输入 阻抗 这个 sets 这 关闭-循环 增益 在 conjunction 和 R
f
. 这个 电阻 也 形式 一个
高 通过 过滤 和 C
i
在 f
C
= 1/(2
π
R
i
C
i
).
2. C
i
输入 连接 电容 这个 blocks 这 直流 电压 在 这 放大器 输入 terminals. 也 creates 一个
高通 过滤 和 R
i
在 f
c
= 1/(2
π
R
i
C
i
). 谈及 至 这 部分,
恰当的 选择 的 外部 组件
,
为 一个 explanation 的 如何 至 决定 这 值 的 C
i
.
3. R
f
反馈 阻抗 这个 sets 这 关闭-循环 增益 在 conjunction 和 R
i
.
4. C
S
供应 绕过 电容 这个 提供 电源 供应 过滤. 谈及 至 这
电源 供应 Bypassing
部分 为 信息 涉及 恰当的 placement 和 选择 的 这 供应 绕过 电容.
5. C
B
绕过 管脚 电容 这个 提供 half-供应 过滤. 谈及 至 这 部分,
恰当的 选择 的 外部
组件
, 为 信息 涉及 恰当的 placement 和 选择 的 C
B
.
典型 效能 特性
LD 和 MH 明确的 特性
THD+N+N vs 频率
V
DD
= 5v, R
L
=4
Ω
, 和 P
O
=1W
THD+N+N vs 输出 电源
V
DD
= 5v, R
L
=4
Ω
,andf=1khz
20051030 20051031
LM4990
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