绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
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分发 为 有效性 和 规格.
V
DD
至 V
SS
-0.3v 至 18V
HB 至 HS −0.3v 至 18V
LI 或者 HI 至 V
SS
−0.3v 至 V
DD
+0.3v
LO 至 V
SS
−0.3v 至 V
DD
+0.3v
HO 至 V
SS
V
HS
−0.3v 至 V
HB
+0.3v
HS 至 V
SS
(便条 6) −5V 至 100V
HB 至 V
SS
118V
接合面 温度 -40˚c 至 +150˚C
存储 温度 范围 −55˚C 至 +150˚C
静电释放 比率 HBM (便条 2) 2 kV
推荐 运行
情况
V
DD
8V 至 14V
HS (便条 6) −1V 至 100V
HB V
HS
+8V 至 V
HS
+14V
HS 回转 比率
<
50 v/ns
接合面 温度 −40˚C 至 +125˚C
电的 特性
规格 在 标准 typeface 是 为 T
J
= +25˚c, 和 那些 在
黑体字 类型
应用 在 这 全部
运行 接合面 tem-
perature 范围
. 除非 否则 指定, V
DD
=V
HB
= 12v, V
SS
=V
HS
= 0v, 非 加载 在 LO 或者 HO .
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电流
I
DD
V
DD
安静的 电流 LI = HI = 0V 0.3
0.6
毫安
I
DDO
V
DD
运行 电流 f = 500 kHz 2.1
3.4
毫安
I
HB
总的 HB 安静的 电流 LI = HI = 0V 0.06
0.2
毫安
I
HBO
总的 HB 运行 电流 f = 500 kHz 1.6
3.0
毫安
I
HBS
HB 至 V
SS
电流, 安静的 V
HS
=V
HB
= 100V 0.1
10
µA
I
HBSO
HB 至 V
SS
电流, 运行 f = 500 kHz 0.5 毫安
输入 管脚 LI 和 HI
V
IL
低 水平的 输入 电压 门槛
0.8
1.8 V
V
IH
高 水平的 输入 电压 门槛 1.8
2.2
V
R
I
输入 Pulldown 阻抗
100
180
500
k
Ω
下面 电压 保护
V
DDR
V
DD
Rising 门槛 V
DDR
=V
DD
-v
SS
6.0
6.9
7.4
V
V
DDH
V
DD
门槛 Hysteresis 0.5 V
V
HBR
HB Rising 门槛 V
HBR
=V
HB
-v
HS
5.7
6.6
7.1
V
V
HBH
HB 门槛 Hysteresis 0.4 V
激励 STRAP 二极管
V
DL
低-电流 向前 电压 I
vdd-hb
= 100 µA
V
DL
=V
DD
-v
HB
0.58
0.9
V
V
DH
高-电流 向前 电压 I
vdd-hb
= 100 毫安
V
DH
=V
DD
-v
HB
0.82
1.1
V
R
D
动态 阻抗 I
vdd-hb
= 100 毫安 0.8
1.5
Ω
LO 门 驱动器
V
OLL
低-水平的 输出 电压 I
LO
= 100 毫安
V
OHL
=V
LO
–V
SS
0.28
0.45
V
V
OHL
高-水平的 输出 电压 I
LO
= −100 毫安,
V
OHL
=V
DD
–V
LO
0.45
0.75
V
I
OHL
顶峰 Pullup 电流 V
LO
= 0V 1.3 一个
I
OLL
顶峰 Pulldown 电流 V
LO
= 12V 1.4 一个
HO 门 驱动器
V
OLH
低-水平的 输出 电压 I
HO
= 100 毫安
V
OLH
=V
HO
–V
HS
0.28
0.45
V
V
OHH
高-水平的 输出 电压 I
HO
= −100 毫安
V
OHH
=V
HB
–V
HO
0.45
0.75
V
I
OHH
顶峰 Pullup 电流 V
HO
= 0V 1.3 一个
I
OLH
顶峰 Pulldown 电流 V
HO
= 12V 1.4 一个
LM5107
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