绝对 最大 比率
(注释 2, 3)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压, V
+
15V
输入 电压, V
TRIG
,v
RES
,v
CTRL
,
V
THRESH
−0.3v 至 V
S
+ 0.3v
输出 电压, V
O
,v
DIS
15V
输出 电流 I
O
,i
DIS
100 毫安
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
焊接 信息
MDIP 焊接 (10 秒) 260˚C
soic, MSOP Vapor 阶段 (60
秒) 215˚C
soic, MSOP Infrared (15 秒) 220˚C
便条:
看 一个-450 “Surface 挂载 方法 和 它们的 效应 在 产品
Reliability” 为 其它 方法 的 焊接 表面 挂载 设备.
运行 比率
(注释 2, 3)
Termperature 范围 −40˚C 至 +85˚C
热的 阻抗 (
θ
JA
) (便条 2)
所以, 8-含铅的 小 外形 169˚c/w
msop, 8-含铅的 迷你 小
外形 225˚c/w
mdip, 8-含铅的 模塑的 插件 111˚c/w
8-bump 微观的 SMD 220˚c/w
最大 容许的 电源
消耗
@
25˚C
mdip-8 1126mW
所以-8 740mW
msop-8 555mW
8 Bump 微观的 SMD 568mW
电的 特性
(注释 1, 2)
测试 电路, T
=
25˚c, 所有 switches 打开, 重置 至 V
S
除非 否则 指出
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
(限制)
I
S
供应 电流 V
S
=
1.5v
V
S
=
5V
V
S
=
12V
50
100
150
150
250
400
µA
V
CTRL
控制 电压 V
S
=
1.5v
V
S
=
5V
V
S
=
12V
0.8
2.9
7.4
1.0
3.3
8.0
1.2
3.8
8.6
V
V
DIS
释放 饱和
电压
V
S
=
1.5v, I
DIS
=
1mA
V
S
=
5v, I
DIS
=
10 毫安
75
150
150
300
mV
V
OL
输出 电压 (低) V
S
=
1.5v, I
O
=
1mA
V
S
=
5v, I
O
=
8mA
V
S
=
12v, I
O
=
50 毫安
0.2
0.3
1.0
0.4
0.6
2.0
V
V
OH
输出 电压
(高)
V
S
=
1.5v, I
O
=
−0.25 毫安
V
S
=
5v, I
O
=
−2 毫安
V
S
=
12v, I
O
=
−10 毫安
1.0
4.4
10.5
1.25
4.7
11.3
V
V
TRIG
触发 电压 V
S
=
1.5v
V
S
=
12V
0.4
3.7
0.5
4.0
0.6
4.3
V
I
TRIG
触发 电流 V
S
=
5V 10 pA
V
RES
重置 电压 V
S
=
1.5v (便条 4)
V
S
=
12V
0.4
0.4
0.7
0.75
1.0
1.1
V
I
RES
重置 电流 V
S
=
5V 10 pA
I
THRESH
门槛 电流 V
S
=
5V 10 pA
I
DIS
释放 泄漏 V
S
=
12V 1.0 100 nA
t 定时 精度 SW 2, 4 关闭
V
S
=
1.5v
V
S
=
5V
V
S
=
12V
0.9
1.0
1.0
1.1
1.1
1.1
1.25
1.20
1.25
ms
∆
t/
∆
V
S
定时 变换 和 供应 V
S
=
5V
±
1V 0.3
%
/v
∆
t/
∆
T 定时 变换 和
温度
V
S
=
5V
−40˚C
≤
T
≤
+85˚C
75 ppm/˚c
f
一个
非稳定式的 频率 SW 1, 3 关闭, V
S
=
12V 4.0 4.8 5.6 kHz
f
最大值
最大 频率 最大值 freq. 测试 电路, V
S
=
5V 3.0 MHz
t
R
,t
F
输出 上升 和
下降 时间
最大值 freq. 测试 电路
V
S
=
5v, C
L
=
10 pF
15 ns
LMC555
www.国家的.com3
: 点此下载
