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ltc3801/ltc3801b
3801f
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
I
波纹
= 0.4(i
输出(最大值)
). remember, 这 最大 i
波纹
occurs 在 这 最大 输入 电压.
在 burst 模式 运作 在 这 ltc3801, 这 波纹
电流 是 正常情况下 设置 此类 那 这 inductor 电流 是
持续的 在 这 burst 时期. 因此, 这 顶峰-
至-顶峰 波纹 电流 必须 不 超过:
I
R
波纹
SENSE
≤
003.
这个 implies 一个 最小 电感 的:
L
VV
f
R
VV
VV
最小值
在 输出
SENSE
输出 D
在 D
=
−
+
+
003.
(使用 v
在(最大值)
= v
在
)
一个 小 值 比 l
最小值
可以 是 使用 在 这 电路;
不管怎样, 这 inductor 电流 将 不 是 持续的
在 burst 时期.
inductor 核心 选择
once 这 值 为 l 是 知道, 这 类型 的 inductor 必须 是
选择. 高 效率 转换器 一般地 不能 af-
ford 这 核心 丧失 建立 在 低 费用 powdered iron cores,
forcing 这 使用 的 更多 expensive ferrite, molypermalloy
或者 kool m
µ
®
cores. 真实的 核心 丧失 是 独立 的 核心
大小 为 一个 fixed inductor 值, 但是 它 是 非常 依赖 在
电感 选择. 作 电感 增加, 核心 losses
go 向下. unfortunately, 增加 电感 需要
更多 转变 的 线 和 因此 铜 losses 将 在-
crease. ferrite 设计 有 非常 低 核心 losses 和 是
preferred 在 高 切换 发生率, 所以 设计 goals
能 concentrate 在 铜 丧失 和 阻止 饱和.
ferrite 核心 材料 saturates “hard,” 这个 意思 那
电感 collapses abruptly 当 这 顶峰 设计 cur-
rent 是 超过. 这个 结果 在 一个 abrupt 增加 在
inductor 波纹 电流 和 consequent 输出 电压
波纹. 做 不 准许 这 核心 至 saturate!
molypermalloy (从 磁性材料, inc.) 是 一个 非常 好的, 低
丧失 核心 材料 为 toroids, 但是 它 是 更多 expensive
比 ferrite. 一个 合理的 compromise 从 这 一样
kool m
µ
是 一个 注册 商标 的 磁性材料, 公司
生产者 是 kool m
µ
. toroids 是 非常 空间 效率高的,
特别 当 你 能 使用 一些 layers 的 线.
因为 它们 一般地 lack 一个 bobbin, 挂载 是 更多
difficult. 不管怎样, 新 设计 为 表面 挂载 那 做
不 增加 这 height significantly 是 有.
电源 场效应晶体管 选择
一个 外部 p-频道 电源 场效应晶体管 必须 是 选择
为 使用 和 这 ltc3801/ltc3801b. 这 主要的 选择
criteria 为 这 电源 场效应晶体管 是 这 门槛 电压
V
gs(th)
和 这 “on” 阻抗 r
ds(在)
, 反转 转移
电容 c
RSS
和 总的 门 承担.
自从 这 ltc3801/ltc3801b 是 设计 为 运作
向下 至 低 输入 电压, 一个 sublogic 水平的 门槛
场效应晶体管 (r
ds(在)
有保证的 在 v
GS
= 2.5v) 是 必需的
为 产品 那 工作 关闭 至 这个 电压. 当
这些 mosfets 是 使用, 制造 确信 那 这 输入 供应
至 这 ltc3801/ltc3801b 是 较少 比 这 绝对 maxi-
mum v
GS
比率, 典型地 8v.
这 必需的 最小 r
ds(在)
的 这 场效应晶体管 是 governed
用 它的 容许的 电源 消耗. 为 产品 那 将
运作 这 ltc3801/ltc3801b 在 落后, i.e., 100% 职责
循环, 在 它的 worst 情况 这 必需的 r
ds(在)
是 给 用:
R
P
Ip
DS 在
P
输出 最大值
直流
()
()
%
=
=
()
+
()
100
2
1
δ
在哪里 p
P
是 这 容许的 电源 消耗 和
δ
p 是 这
温度 dependency 的 r
ds(在)
. (1 +
δ
p) 是 一般地
给 为 一个 场效应晶体管 在 这 表格 的 一个 normalized r
ds(在)
vs
温度 曲线, 但是
δ
p = 0.005/
°
c 能 是 使用 作 一个
approximation 为 低 电压 mosfets.
在 产品 在哪里 这 最大 职责 循环 是 较少 比
100% 和 这 ltc3801/ltc3801b 是 在 持续的
模式, 这 r
ds(在)
是 governed 用:
R
P
直流 I p
DS 在
P
输出
()
≅
()
+
()
2
1
δ
在哪里 直流 是 这 最大 运行 职责 循环 的 这
ltc3801/ltc3801b.
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