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2001
rev. 1.0, 5/18/2005
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Microsemi
.
COM
LX1991
六 输出 programmable led 电流 下沉
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
TM
®
绝对 最大 比率
供应 电压 (vdd
) ............................................................................... -0.3v 至 6v
相似物 输出 电压 (下沉
1
至 下沉
6
)............................................... -0.3v至 43v
相似物 输入 (i
设置
).......................................................................-0.3v 至 vdd +0.5v
数字的 输入 (使能, dig_dim) ...........................................-0.3v 至 vdd +0.5v
运行 temperature 范围...................................................................-40°c – 85°c
存储 温度范围.....................................................................-65°c – 150°c
最大 接合面 temperature.......................................................................... 150°C
顶峰 包装 焊盘 软熔焊接 温度 (40秒 最大值 暴露)........... 260°c (+0, -5)
便条:
exceeding 这些 比率 可以 导致 损坏 至 the 设备. 所有 电压 是 和 遵守 至
地面. 电流 是 积极的 在, negative 输出 的 指定 终端.
热的 数据
接合面 温度 计算: t
J
= t
一个
+ (p
D
x
θ
JA
).
这
θ
JA
号码 是 指导原则 为 这 thermal 效能 的 这 设备/ 4 layer pc-
板 系统. 所有 的 这 在之上 假设 非 包围的 airflow.
这
θ
JA
号码 是 至 mil-标准-883d 方法 1012.1
LQ
塑料 4x4 mlpq 16-管脚
T
hermal 阻抗
-
接合面 至
一个
MBIENT
,
θ
J
C
2.2°c/w
T
hermal 阻抗
-
接合面 至
一个
MBIENT
,
θ
JA
36°c/w
包装 管脚 输出
1
2
3
4
56
7
8
9
10
11
12
13
141516
dig_dim
VDD
下沉 1
下沉 2
地
下沉 3
下沉 4
下沉 5
地
下沉 6
iset-
NC
ISET+
NC
CSLOPE
使能
LQ
P
ACKAGE
(顶 视图)
MSC
1991
xxxx
LQ
P
ACKAGE
M
ARKING
xxxx denotes 日期 代号 / lot 代号
rohs / 铅-自由 100% 表面粗糙的 tin 含铅的 完成
函数的 管脚 描述
P
在
N
AME
D
ESCRIPTION
地 地面
V
DD
电压 输入, 4.5 至 5.5v 输入 范围. v
DD
是 内部 切换 (看 使能) 至 除去 电源 从 碎片.
下沉
1
–
下沉
6
电流 下沉 途径 一个 通过 六. 各自输出 sinks 这 编写程序 电流 从 这 v
LED
供应 至
地面. 遵从 电压 是从 1 volt 最小 至 这 v
LED
供应 最大.
dig_dim
一个 逻辑 输入 那 职责 循环 modulates 这 输出 电流s. 所有 输出 电流 是转变 在 在 这 编写程序
电流 值 当 dig_dim 是 高 和 转变 止 当 它 是 低. 兼容 和 两个都 3v 和 5v 逻辑.
使能
碎片 使能 输入. 如果 逻辑 高, 所有 功能 是 使能.如果 逻辑 低, 内部的 电源 是 disconnected 从 这
V
DD
管脚, disabling 所有 功能. 逻辑 门槛 是 1.6 ± 0.8v 最大 在 供应 和 温度 range.
最大 电流 在 vdd 当 使能 < 0.4v 是 1 µa .
I
SET+
I
设置-
电流 程序编制 电阻 管脚. 输出 电流 在 each 频道 是 24 时间 这 电流 那 flows 从 i
SET+
至
I
设置-
I
设置
电流 是 1.26v / r
设置
. 连接 电阻 在 i
SET+
和 i
设置-
C
斜度
电流 上升 和 下降 时间 程序编制 电容. 上升 和 下降 时间 增加 在 直接 份额 至 电容
值. c = 450
µ
一个 * t
R
或者 t
F
在 microseconds, c 在 picofarads.
P
P
一个
一个
C
C
K
K
一个
一个
G
G
E
E
D
D
一个
一个
T
T
一个
一个
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