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tps62050, TPS62051
tps62052, tps62054, TPS62056
SLVS432D–九月 2002–修订 OCTOBER 2003
电的 特性
V
I
=7.2 v, V
O
= 3.3 v, I
O
= 300 毫安, EN = V
I
, T
一个
=-40
°
C 至 85
°
C 除非 否则 指出
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电流
V
I
输入 电压 范围 2.7 10 V
I
O
= 0 毫安, 同步 = 地,
I
(q)
运行 安静的 电流 12 20 µA
V
I
= 7.2 V
EN = 地 1.5 5
I
(sd)
关闭 电流 µA
EN = 地, T
一个
=25
°
C 1.5 3
安静的 电流 和 增强 LBI EN = V
I
, lbi=地,
I
q(lbi)
5 µA
比较器 版本. TPS62051 仅有的
使能
V
IH
EN 高 水平的 输入 电压 1.3 V
V
IL
EN 低 水平的 输入 电压 0.3 V
EN trip 要点 hysteresis 100 mV
I
lkg
EN 输入 泄漏 电流 EN = 地 或者 vin, V
I
=7.2 V 0.01 0.2 µA
I
(en)
EN 输入 电流 0.6 V
≤
V
(en)
≤
4 V 2 µA
V
(uvlo)
欠压 lockout 门槛 1.6 V
电源 转变
V
I
≥
5.4 v; I
O
= 300 毫安 400 650
r
ds(在)
p-频道 场效应晶体管 在-阻抗 m
Ω
V
I
= 2.7 v; I
O
= 300 毫安 600 850
p-频道 场效应晶体管 泄漏 电流 V
DS
= 10 V 1 µA
p-频道 场效应晶体管 电流 限制 V
I
= 7.2v, V
O
= 3.3 V 1000 1200 1400 毫安
V
I
≥
5.4 v; I
O
= 300 毫安 300 450
r
ds(在)
n-频道 场效应晶体管 在-阻抗 m
Ω
V
I
= 2.7 v; I
O
= 300 毫安 450 550
n-频道 场效应晶体管 泄漏 电流 V
DS
= 6 V 1 µA
电源 好的 输出, lbi, LBO
V
(pg)
电源 好的 trip 电压 Vml -2% V
V
O
ramping 积极的 50 µs
电源 好的 延迟 时间
V
O
ramping 负的 200
V
(fb)
= 0.8 x V
O
名义上的,
V
OL
pg, LBO 输出 低 电压 0.3 V
I
(下沉)
= 1 毫安
V
(fb)
= V
O
名义上的,
pg, LBO 输出 泄漏 电流 0.01 0.25 µA
V
(lbi)
= V
I
最小 供应 电压 为 有效的 电源
2.3 V
好的, LBO 信号
V
(lbi)
低 电池 输入 trip 电压 输入 电压 下落 1.21 V
低 电池 输入 trip 要点 精度 1.5%
V
(lbi,hys)
低 电池 输入 hysteresis 15 mV
I
lkg(lbi)
LBI 泄漏 电流 0.01 0.1 µA
振荡器
f
S
振荡器 频率 600 850 1000 kHz
f
(同步)
同步 范围 600 1200 kHz
V
IH
同步 高 水平的 输入 电压 1.5 V
V
IL
同步 低 水平的 输入 电压 0.3 V
I
lkg
同步 输入 泄漏 电流 同步 = 地 或者 VIN 0.01 0.1 µA
同步 trip 要点 hysteresis 100 mV
职责 循环 的 外部 时钟 信号 20% 90%
输出
可调整的 输出 电压 tps62050,
V
O
0.7 6.0 V
范围 TPS62051
tps62050,
V
(fb)
反馈 电压 0.5 V
TPS62051
tps62050,
FB 泄漏 电流 0.02 0.1 µA
TPS62051
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