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M27C256B
表格 9. 程序编制 模式 直流 特性
(1)
(t
一个
= 25 °c; v
CC
= 6.25v ± 0.25v; v
PP
= 12.75v ± 0.25v)
便条: V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 v
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 v
PP
.
表格 10. 程序编制 模式 交流 特性
(1)
(t
一个
= 25 °c; v
CC
= 6.25v ± 0.25v; v
PP
= 12.75v ± 0.25v
便条: V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 v
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 v
PP
.
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流
V
IL
≤
V
在
≤
V
IH
±10 µA
I
CC
供应 电流 50 毫安
I
PP
程序 电流
E
= v
IL
50 毫安
V
IL
输入 低 电压 –0.3 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2
V
CC
+ 0.5
V
V
OL
输出 低 电压
I
OL
= 2.1ma
0.4 V
V
OH
输出 高 电压 ttl
I
OH
= –1ma
3.6 V
V
ID
a9 电压 11.5 12.5 V
标识 Alt 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
t
AVEL
t
作
地址 有效的 至 碎片 使能 低 2 µs
t
QVEL
t
DS
输入 有效的 至 碎片 使能 低 2 µs
t
VPHEL
t
VPS
V
PP
高 至 碎片 使能 低
2µs
t
VCHEL
t
VCS
V
CC
高 至 碎片 使能 低
2µs
t
ELEH
t
PW
碎片 使能 程序 脉冲波 宽度 95 105 µs
t
EHQX
t
DH
碎片 使能 高 至 输入 转变 2 µs
t
QXGL
t
OES
输入 转变 至 输出 使能 低 2 µs
t
GLQV
t
OE
输出 使能 低 至 输出 有效的 100 ns
t
GHQZ
t
DFP
输出 使能 高 至 输出 hi-z 0 130 ns
t
GHAX
t
AH
输出 使能 高 至 地址 转变 0 ns
程序编制
当 delivered (和 之后 各自 erasure 为 uv
非易失存储器), 所有 位 的 这 m27c256b 是 在 这 "1"
状态. 数据 是 introduced 用 selectively 程序-
ming "0"s 在 这 desired 位 locations. 虽然
仅有的 "0"s 将 是 编写程序, 两个都 "1"s 和 "0"s
能 是 呈现 在 这 数据 文字. 这 仅有的 方法 至
改变 一个 '0' 至 一个 '1' 是 用 消逝 暴露 至 ultraviolet
明亮的 (uv 非易失存储器). 这 m27c256b 是 在 这 pro-
gramming 模式 当 v
PP
输入 是 在 12.75v, g是
在 v
IH
和 e是 搏动 至 v
IL
. 这 数据 至 是 pro-
grammed 是 应用 至 8 位 在 并行的 至 这 数据
输出 管脚. 这 水平 必需的 为 这 地址
和 数据 输入 是 ttl. v
CC
是 指定 至 是
6.25v ± 0.25 v.