ref2912, 2920, 2925, 2930, 2933, 2940
8
SBVS033A
www.德州仪器.com
theory 的 运作
这 ref29xx 是 一个 序列, cmos, 精确 bandgap 电压
涉及. 它
’
s 基本 topology 是 显示 在 图示 1. 这
晶体管 q
1
, 和 q
2
, 是 片面的 此类 那 这 电流
密度 的 q
1
是 更好 比 那 的 q
2
. 这 区别 的 这
二 根基-emiter 电压, vbe
1
–
Vbe
2
, 有 一个 积极的
温度 系数 和 是 强迫 横过 电阻 r
1
. 这个
电压 是 gained 向上 和 增加 至 这 根基-发射级 电压
的 q
2
, 这个 有 一个 负的 系数. 这 结果 输出
电压 是 virtually 独立 的 温度. 这 curvature
的 这 bandgap 电压, 作 seen 在 这 典型 曲线,
“
输出
电压 vs 温度
”
, 是 预定的 至 这 slightly 非线性的
温度 系数 的 这 根基-发射级 电压 的 q
2
.
这 ref29xx 特性 一个 低 安静的 电流, 这个 是
极其 稳固的 在 改变 在 两个都 温度 和
供应. 这 典型 房间 温度 安静的 电流 是
42
µ
一个, 和 这 最大 安静的 电流 在 温度
是 just 59
µ
一个. additionally, 这 安静的 电流 典型地
改变 较少 比 2.5
µ
一个 在 这 全部 供应 范围, 作
显示 在 图示 3.
1
3
REF29xx
2
0.47
µ
F
V
在
V
输出
图示 1. simplified 图式 的 bandgap 涉及.
图示 2. 典型 连接 为 运行 ref29xx.
42.5
42.0
41.5
41.0
40.5
40.0
I
Q
(
µ
一个)
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
V
在
(v)
图示 3. 供应 电流 vs 供应 电压.
R
1
Q
2
Q
1
+
Vbe
1
–
+
Vbe
2
–
应用 信息
这 ref29xx 做 不 需要 一个 加载 电容, 和 是 稳固的
和 任何 电容的 加载. 图示 2 显示 典型 连接
必需的 为 运作 的 这 ref29xx. 一个 供应 绕过
电容 的 0.47
µ
f 是 推荐.
供应 电压
这 ref30xx 家族 的 references 特性 一个 极其 低
落后 电压. 和 这 例外 的 这 ref2912, 这个
有 一个 最小 供应 必要条件 的 1.8v, 这 ref29xx
能 是 运作 和 一个 供应 的 仅有的 1mv 在之上 这 输出
电压 在 一个 unloaded 情况. 为 承载 情况, 一个
典型 落后 电压 相比 加载 是 显示 在 这 覆盖
页.
供应 电压 在下 这 指定 水平 能 导致 这
ref29xx 至 短促地 绘制 电流 更好 比 这
典型 安静的 电流. 使用 一个 电源 供应 和 一个 快
rising 边缘 和 低 输出 阻抗 容易地 阻止 这个.
热的 hysteresis
热的 hysteresis 为 这 ref29xx 是 定义 作 这 改变
在 输出 电压 之后 运行 这 设备 在 25
°
c, cycling
这 设备 通过 这 指定 温度 范围, 和
returning 至 25
°
c, 和 能 是 表示 作:
V
abs V V
V
ppm
HYST
前
邮递
NOM
=
•
(
)
–
10
6
在哪里: v
HYST
=
计算 hysteresis
V
前
= 输出 电压 量过的 在 25
°
c 前-
温度 cycling
V
邮递
= 输出 电压 量过的 当 设备 有
被 运作 在 25
°
c, cycled 通过 指定
范围
–
40
°
c 至 +125
°
c 和 returned 至 运作 在
25
°
C
温度 逐渐变化
这 ref30xx 是 设计 至 展览 minimal 逐渐变化 错误, 定义
作 这 改变 在 输出 电压 在 varying 温度.
使用 这
‘
盒
’
方法 的 逐渐变化 度量, 这 ref29xx
特性 一个 典型 逐渐变化 系数 的 20ppm 从 0
°
c 至 70
°
C
—
这 primary 温度 范围 的 使用 为 许多 产品.
为 工业的 温度 范围 的
–
40
°
c 至 125
°
c, 这
ref30xx 家族 逐渐变化 增加 至 一个 典型 值 的 50ppm.
: 点此下载
