AI01726B
18
a0-a17
W
dq0-dq14
V
CC
M29F400T
M29F400B
E
V
SS
15
G
RP
DQ15A–1
字节
RB
图示 1. 逻辑 图解
M29F400T
M29F400B
4 Mbit (512kb x8 或者 256Kb x16, 激励 块)
单独的 供应 Flash 记忆
不 为 新 设计
M29F400T 和 M29F400B 是 replaced
各自 用 这 M29F400BT 和
M29F400BB
5V
±
10% 供应 电压 为 程序,
擦掉 和 读 行动
快 进入 时间: 55ns
快 程序编制 时间
–10
µ
s 用 字节 / 16
µ
s 用 文字 典型
程序/擦掉 控制 (p/e.c.)
– 程序 字节-用-字节 或者 文字-用-文字
– 状态 寄存器 位 和 准备好/busy 输出
记忆 BLOCKS
– 激励 块 (顶 或者 Bottom location)
– 参数 和 主要的 blocks
块, multi-块 和 碎片 擦掉
multi-块 保护/temporary
UNPROTECTION 模式
擦掉 SUSPEND 和 重新开始 模式
– 读 和 程序 另一 块 在
擦掉 Suspend
低 电源 消耗量
– 保卫-用 和 自动 保卫-用
100,000 程序/擦掉 循环 每
块
20 年 数据 保持
– Defectivity 在下 1ppm/年
电子的 SIGNATURE
– 生产者 代号: 0020h
– 设备 代号, m29f400t: 00D5h
– 设备 代号, m29f400b: 00D6h
描述
这 M29F400 是 一个 非-易变的 记忆 那 将
是 erased 用电气 在 这 块 或者 碎片 水平的 和
编写程序 在-系统 在 一个 字节-用-字节 或者 文字-
用-文字 基准 使用 仅有的 一个 单独的 5V V
CC
供应.
为 程序 和 擦掉 行动 这 需要
高 电压 是 发生 内部. 这 设备
能 也 是 编写程序 在 标准 程序-
mers.
这 排列 矩阵变换 organisation 准许 各自 块 至
是 erased 和 reprogrammed 没有 影响
其它 blocks. Blocks 能 是 保护 相反 pro-
十一月 1999 1/34
这个 是 信息 在 一个 产品 stil l 在 生产 但是 不 推荐 for 新 设计.
44
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