信号 描述
看 图示 1 和 表格 1.
地址 输入 (a0-a17)
. 这 地址 输入 为
这 记忆 排列 是 latched 在 一个 写 opera-
tion 在 这 下落 边缘 的 碎片 使能 E 或者 写
使能 w. 在 文字-宽 organisation 这 地址
线条 是 a0-a17, 在 字节-宽 organisation
DQ15A–1 acts 作 一个 额外的 LSB 地址 线条.
当 A9 是 raised 至 V
ID
, 也 一个 读 电子的
Signature 生产者 或者 设备 代号, 块
保护 状态 或者 一个 写 块 保护 或者
块 Unprotection 是 使能 取决于 在 the
结合体 的 水平 在 a0, a1, a6, A12 和 a15.
数据 输入/输出 (dq0-dq7).
这些 在-
puts/输出 是 使用 在 这 字节-宽 和 文字-
宽 organisations. 这 输入 是 数据 至 是
编写程序 在 这 记忆 排列 或者 一个 command
至 是 写 至 这 c.i. 两个都 是 latched 在 这
rising 边缘 的 碎片 使能 E 或者 写 使能 w.
这 输出 是 数据 从 the 记忆 排列, 这
电子的 Signature Manufacturer 或者 设备
代号, 这 块 保护 状态 或者 这 状态
寄存器 数据 Polling 位 dq7, 这 Toggle 位 DQ6
和 dq2, 这 错误 位 DQ5 或者 这 擦掉 计时器 位
dq3. 输出 是 有效的 当 碎片 使能 E 和
输出 使能 G 是 起作用的. 这 输出 是 高
阻抗 当 这 碎片 是 deselected 或者 这
输出是 无能 和 当 RP 是 在 一个 低 水平的.
数据 输入/输出 (dq8-dq14 和 dq15a–1).
这些 输入/输出 是 additionally 使用 在 这
文字-宽 organisation. 当 字节是 高 dq8-
DQ14 和 DQ15A–1 act 作 这 MSB 的 这 数据
输入 或者 输出, 起作用 作 描述 f或者 dq0-
DQ7 在之上, 和 dq8-dq15 是 ’don’t care’ 为
command 输入 或者 状态 输出. 当 BYTE 是
低, dq8-dq14 是 高 阻抗, DQ15A–1 是
这 地址 A–1 输入.
碎片 使能 (e).
这 碎片 使能 输入 activates
这 记忆 控制 逻辑, 输入 缓存区, decoders
和 sense 放大器. E 高 deselects 这记忆
和 减少这 电源消耗量 至 这 备用物品
水平的. E 能 也 是 使用 至 控制 writing 至 这
command 寄存器 和 至 这 记忆 排列, 当
W 仍然是 在 一个 低 水平的. 这 碎片 使能 必须 是
强迫 至 V
ID
在 这 块 Unprotection opera-
tion.
输出 使能 (g).
这 输出 使能 门 the
输出 通过 这 数据 缓存区 在 一个 读
运作. 当 G 是 高 这 输出 是 高
阻抗. G 必须 是 强迫 至 V
ID
水平的 在
块 保护 和 Unprotection 行动.
写 使能 (w).
这个 输入 控制 writing to 这
Command寄存器 和 地址 和 数据 latches.
字节/文字 或者ganization 选择 (字节).
这
字节 输入 选择 这 输出 配置 为 这
设备: 字节-宽 (x8) 模式 或者 文字-宽 (x16)
模式. 当 字节 是 低, 这 字节-宽 模式 是
选择 和 这 数据 是 读 和 编写程序 在
dq0-dq7. 在 这个 模式, dq8-dq14 是 在 高
阻抗 和 DQ15A–1 是 这 LSB 地址.
当 字节 是 高, 这 文字-宽 模式 是 se-
lected 和 the 数据 是 读 和 编写程序 在
dq0-dq15.
准备好/busy 输出 (rb).
准备好/busy 是 一个
打开-流输出 和 给 这 内部的 状态 的 这
p/e.c. 的 这 设备. 当 RB 是 低, 这 设备
是 Busy 和 一个 程序 或者 擦掉 运作 和 它
将 不 接受 任何 额外的 程序 或者 擦掉
说明 除了 这 擦掉 Suspend 操作指南.
当 RB 是 高, 这 设备 是 准备好 为 任何读,
程序 或者 擦掉 运作. 这 RB 将 也 是
高 当 这 记忆 是 放 在 擦掉 Suspend 或者
备用物品 模式.
重置/块 Temporary Unprotect 输入 (rp).
这 RP 输入 提供 硬件 重置 和 pro-
tected 块(s) temporary unprotection 功能.
重置 的 这 记忆 是 acheived 用 拉 RP 至
V
IL
为 在 least 500ns. 当 这 重置 脉冲波 是
给, 如果 这 记忆 是 在 读 或者 备用物品 模式,
它 将 是 有 为 新 行动 在 50ns 之后
这 rising 边缘 的 rp. 如果 这 记忆 是 在 擦掉,
擦掉 Suspend 或者 程序 模式 这 重置 将
引领 10
µ
s 在 这个 这 RB 信号 将 是 使保持
在 V
IL
. 这 终止 的这 记忆重置 将 是 表明
用 这 rising 边缘 的 Rb. 一个 硬件 重置 在
一个 擦掉 或者 程序 运作 将 corrupt 这 数据
正在 编写程序 或者 这 sector(s) 正在 erased.
Temporary 块 unprotection 是 制造 用 支持
RP 在 V
ID
. 在 这个 情况 先前 保护
blocks 能 是 编写程序 或者 erased. 这 transi-
tion 的 RP 从 V
IH
至 V
ID
必须 slower 比 500ns.
当 RP 是 returned 从 V
ID
至 V
IH
所有 blocks
temporarily unprotected 将 是 又一次 保护.
V
CC
供应 电压.
这 电源 供应 为 所有
行动 (读, 程序 和 擦掉).
V
SS
地面.
V
SS
是 这 涉及 为 所有 电压
度量.
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m29f400t, M29F400B
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