M29W010B
2/19
图示 2. plcc 连接
AI02748
NC
A13
A10
DQ5
17
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
A7
A4
A3
A2
A6
A5
9
W
A8
1
A16
A9
DQ7
A12
A14
32
NC
V
CC
M29W010B
A15
A11
DQ6
G
E
25
V
SS
表格 1. 信号 names
a0-a16 地址 输入
dq0-dq7 数据 输入/输出
E
碎片 使能
G
输出 使能
W
写 使能
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
NC 不 连接 内部
summary 描述
这 m29w010b 是 一个 1 mbit (128kb x8) 非-vola-
tile 记忆 那 能 是 读, erased 和 repro-
grammed. 这些 行动 能 是 执行
使用 一个 单独的 低 电压 (2.7 至 3.6v) 供应. 在
电源-向上 这 记忆 defaults 至 它的 读 模式
在哪里 它 能 是 读 在 这 一样 方法 作 一个 只读存储器 或者
非易失存储器.
图示 3. tsop 连接
A1
A0
DQ0
A7
A4 A3
A2
A6
A5
A13
A10
A8
A9
DQ7
A14
A11 G
E
DQ5
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ6
NC
W
A16
A12
NC
V
CC
A15
AI02754
M29W010B
8
1
9
16 17
24
25
32
V
SS
这 记忆 是 分隔 在 blocks 那 能 是
erased independently 所以 它 是 可能 至 preserve
有效的 数据 当 old 数据 是 erased. 各自 块 能
是 保护 independently 至 阻止 意外的
程序 或者 擦掉 commands 从 modifying 这
记忆. 程序 和 擦掉 commands 是 writ-
ten 至 这 command 接口 的 这 记忆. 一个
在-碎片 程序/擦掉 控制 使简化 这
处理 的 程序编制 或者 erasing 这 记忆 用
带去 小心 的 所有 的 这 特定的 行动 那 是
必需的 至 更新 这 记忆 内容. 这 终止
的 一个 程序 或者 擦掉 运作 能 是 发现
和 任何 错误 情况 identified. 这 command
设置 必需的 至 控制 这 记忆 是 consistent
和 电子元件工业联合会 standards.
碎片 使能, 输出 使能 和 写 使能 sig-
nals 控制 这 总线 运作 的 这 记忆.
它们 准许 简单的 连接 至 大多数 micropro-
cessors, 常常 没有 额外的 逻辑.
这 记忆 是 offered 在 plcc32 或者 tsop32 (8 x
20mm) 包装 和 它 是 有提供的 和 所有 这 位
erased (设置 至 ’1’).
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