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资料编号:1008515
 
资料名称:M29W010B70N1T
 
文件大小: 156K
   
说明
 
介绍:
1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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M29W010B
图示 9. 写 交流 波形, 写 使能 控制
AI02927
E
G
W
a0-a16
dq0-dq7
有效的
有效的
V
CC
tVCHEL
tWHEH
tWHWL
tELWL
tAVWL
tWHGL
tWLAX
tWHDX
tAVAV
tDVWH
tWLWHtGHWL
表格 12. 写 交流 特性, 写 使能 控制
(t
一个
= 0 至 70°c 或者 –40 至 85°c)
标识 Alt 参数
M29W010B
单位
45 55 70 90
t
AVAV
t
WC
地址 有效的 至 next 地址 有效的 最小值 45 55 70 90 ns
t
ELWL
t
CS
碎片 使能 低 至 写 使能 低 最小值 0000ns
t
WLWH
t
WP
写 使能 低 至 写 使能 高 最小值 40 40 45 45 ns
t
DVWH
t
DS
输入 有效的 至 写 使能 高 最小值 20 25 30 45 ns
t
WHDX
t
DH
写 使能 高 至 输入 转变 最小值 0000ns
t
WHEH
t
CH
写 使能 高 至 碎片 使能 高 最小值 0000ns
t
WHWL
t
WPH
写 使能 高 至 写 使能 低 最小值 30 30 30 30 ns
t
AVWL
t
地址 有效的 至 写 使能 低 最小值 0000ns
t
WLAX
t
AH
写 使能 低 至 地址 转变 最小值 40 40 45 45 ns
t
GHWL
输出 使能 高 至 写 使能 低 最小值 0000ns
t
WHGL
t
OEH
写 使能 高 至 输出 使能 低 最小值 0000ns
t
VCHEL
t
VCS
V
CC
高 至 碎片 使能 低
Min50505050
µs
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