3/19
M29W010B
信号 描述
看 图示 1, 逻辑 图解, 和 表格 1, 信号
names, 为 一个 brief overview 的 这 信号 连接-
ed 至 这个 设备.
地址 输入 (a0-a16).
这 地址 输入
选择 这 cells 在 这 记忆 排列 至 进入 dur-
ing 总线 读 行动. 在 总线 写 opera-
tions 它们 控制 这 commands sent 至 这
command 接口 的 这 内部的 状态 机器.
数据 输入/输出 (dq0-dq7).
这 数据 在-
puts/输出 输出 这 数据 贮存 在 这 选择
地址 在 一个 总线 读 运作. 在 总线
写 行动 它们 代表 这 commands
sent 至 这 command 接口 的 这 内部的 状态
机器.
碎片 使能 (e
).
这 碎片 使能, e, activates
这 记忆, 准许 总线 读 和 总线 写 运算-
erations 至 是 执行. 当 碎片 使能 是
高, v
IH
, 所有 其它 管脚 是 ignored.
输出 使能 (g
).
这 输出 使能, g, con-
trols 这 总线 读 运作 的 这 记忆.
写 使能 (w
).
这 写 使能, w, 控制
这 总线 写 运作 的 这 记忆’s com-
mand 接口.
V
CC
供应 电压.
这 v
CC
供应 电压
供应 这 电源 为 所有 行动 (读, pro-
gram, 擦掉 等.).
这 command 接口 是 无能 当 这 v
CC
供应 电压 是 较少 比 这 lockout 电压,
V
LKO
. 这个 阻止 总线 写 行动 从 交流-
cidentally 损害的 这 数据 在 电源-向上,
电源-向下 和 电源 surges. 如果 这 程序/
擦掉 控制 是 程序编制 或者 erasing 在
这个 时间 然后 这 运作 aborts 和 这 memo-
ry 内容 正在 改变 将 是 invalid.
一个 0.1µf 电容 应当 是 连接 在
这 v
CC
供应 电压 管脚 和 这 v
SS
地面
管脚 至 分离 这 电流 surges 从 这 电源
供应. 这 pcb 追踪 widths 必须 是 sufficient 至
carry 这 电流 必需的 在 程序 和
擦掉 行动, i
CC3
.
V
SS
地面.
这 v
SS
地面 是 这 涉及 为
所有 电压 度量.
表格 2. 绝对 最大 比率
(1)
便条: 1. 除了 为 这 比率 "运行 温度 范围", 压力 在之上 那些 列表 在 这 表格 "绝对 最大 比率"将
导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况
在之上 那些 表明 在 这 运行 sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 condi-
tions 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性. 谈及 也 至 这 意法半导体 确信 程序 和 其它 相关的qual-
ity documents.
2.
最小 电压 将 undershoot 至 –2v 在 转变 和 为 较少 比 20ns 在 transitions.
标识 参数 值 单位
T
一个
包围的 运行 温度 (温度 范围 选项 1) 0 至 70
°C
包围的 运行 温度 (温度 范围 选项 6) –40 至 85 °C
T
偏差
温度 下面 偏差 –50 至 125 °C
T
STG
存储 温度 –65 至 150 °C
V
IO
(2)
输入 或者 输出 电压 –0.6 至 4 V
V
CC
供应 电压 –0.6 至 4 V
V
ID
identification 电压 –0.6 至 13.5 V
表格 3. uniform 块 地址, m29w010b
#
大小
(kbytes)
地址 范围
7 16 1c000h-1ffffh
6 16 18000h-1bfffh
5 16 14000h-17fffh
4 16 10000h-13fffh
3 16 0c000h-0ffffh
2 16 08000h-0bfffh
1 16 04000h-07fffh
0 16 00000h-03fffh