slus215b −october 1998 − 修订 二月 2004
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应用 信息
落后 效能
referring 至这
块 图解
, 这 落后 电压 的 这 ucc383 是 equal 至 这 最小 电压 漏出 (v
在
至 v
输出
) 横过 这 n-频道 场效应晶体管. 这 落后 电压 是 依赖 在 运行 情况 此类 作
加载电流, 输入 和 加载 电压, 作 好 作 温度. 这 ucc383 achieves 一个 低 rds(在) 通过 这
使用 的 一个 内部的 承担-打气 (v
打气
) 那 驱动 这 场效应晶体管 门. 图示 2 depicts 典型 落后 电压
相比 加载 电流 为 这 3.3-v 和 5-v 版本 的 这 部分, 作 好 作 这 可调整的 版本 编写程序
至 3.0 v.
图示 3depicts 这 典型 落后 效能 的 这 可调整的 版本 和 各种各样的 输出 电压 和 加载
电流.
运行 温度 也 影响 这rds(在) 和 落后 电压 的 这 ucc383. 图示 4 graphs 这 典型
落后 为 这 3.3-v 和 5-v 版本 和 一个 3-一个 加载 在 温度.
图示 2
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1 1.5 2 2.5 3
I
输出
(一个)
V
在
−V
输出
(v)
典型 落后 电压
vs.
加载 电流
V
输出
= 3.3 v
V
输出
= 5 v
V
输出
= 3 v
图示 3
典型 落后 电压
vs.
I
输出
和 v
输出
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
3 3.5 4 4.5 5
I
输出
= 3 一个
I
输出
= 1.5 一个
I
输出
= 1 一个
V
输出
(v)
V
在
−V
输出
(v)
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