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m48t58, M48T58Y
运作 模式
作 图示 6, 页 5 显示, 这 静态的 记忆 ar-
ray 和 这 quartz 控制 时钟 振荡器 的 这
m48t58/y 是 整体的 在 一个 硅 碎片. 这
二 电路 是 interconnected 在 这 upper 第八
记忆 locations 至 提供 用户 accessible
BYTEWIDE™ 时钟 信息 在 这 字节 和
地址 1ff8h-1fffh. 这 时钟 locations
包含 这 century, 年, month, 日期, 日, 小时,
分钟, 和 第二 在 24 小时 BCD format (除了
为 这 century). 纠正 为 28, 29 (leap 年 -
有效的 直到 2100), 30, 和 31 日 months 是 制造
automatically. 字节 1FF8h 是 这 时钟 控制 reg-
ister. 这个 字节 控制 用户 进入 至 这 时钟
信息 和 也 stores 这 时钟 校准
设置.
这 第八 时钟 字节 是 不 这 真实的 时钟
counters themselves; 它们 是 记忆 locations
consisting 的 BiPORT™ 读/写 记忆
cells. 这 m48t58/y 包含 一个 时钟 控制 cir-
cuit 这个 updates 这 时钟 字节 和 电流 在-
组成 once 每 第二. 这 信息 能
是 accessed 用 这 用户 在 这 一样 manner 作
任何 其它 location 在 这 静态的 记忆 排列.
这 m48t58/y 也 有 它的 自己的 电源-失败 发现
电路. 这 控制 电路系统 constantly monitors
这 单独的 5V 供应 为 一个 输出-的-容忍 condi-
tion. 当 V
CC
是 输出 的 容忍, 这 电路 写
保护 这 sram, 供应 一个 高 程度 的
数据 安全 在 这 midst 的 unpredictable 系统
运作 brought 在 用 低 V
CC
.asv
CC
falls 是-
低 这 电池 后面的-向上 Switchover 电压
(v
所以
), 这 控制 电路系统 connects 这 电池
这个 维持 数据 和 时钟 运作 直到 val-
id 电源 returns.
表格 6. 运行 模式
便条: X = V
IH
或者 V
IL
;v
所以
= 电池 后面的-向上 Switchover 电压.
1. 看 表格 10, 页 16 为 详细信息.
模式
V
CC
E1 E2 G W dq0-dq7 电源
Deselect
4.75 至 5.5v
或者
4.5 至 5.5v
V
IH
X X X 高 Z 备用物品
Deselect X
V
IL
X X 高 Z 备用物品
写
V
IL
V
IH
X
V
IL
D
在
起作用的
读
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
D
输出
起作用的
读
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
高 Z 起作用的
Deselect
V
所以
至 V
PFD
(最小值)
(1)
X X X X 高 Z CMOS 备用物品
Deselect
≤
V
所以
(1)
X X X X 高 Z 电池 后面的-向上 模式
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