数据 保持 模式
和 有效的 v
CC
应用, 这 m48z02/12 运作 作
一个 常规的 bytewide
静态的 内存. 应当
这 供应 电压 decay, 这 内存 将 automat-
ically 电源-失败 deselect, 写 protecting 它自己
当 v
CC
falls 在里面 这 v
PFD
(最大值), v
PFD
(最小值)
window. 所有 输出 变为 高 阻抗, 和
所有 输入 是 treated 作 "don’t 小心."
便条:
一个 电源 失败 在 一个 写 循环 将
corrupt 数据 在 这 目前 addressed location,
但是 做 不 jeopardize 这 rest 的 这 内存’s
内容. 在 电压 在下 v
PFD
(最小值), 这 用户 能
是 使确信 这 记忆 将 是 在 一个 写 保护
状态, 提供 这 v
CC
下降 时间 是 不 较少 比 t
F
.
这 m48z02/12 将 respond 至 瞬时 噪音
尖刺 在 v
CC
那 reach 在 这 deselect window
在 这 时间 这 设备 是 抽样 v
CC
. 那里-
fore, 解耦 的 这 电源 供应 线条 是 rec-
ommended.
这 电源 切换 电路 connects 外部 v
CC
至 这 内存 和 disconnects 这 电池 当 v
CC
rises 在之上 v
所以
. 作 v
CC
rises, 这 电池 电压
是 审查. 如果 这 电压 是 too 低, 一个 内部的
电池 不 ok (
Bok) 标记 将 是 设置. 这bok 标记
能 是 审查 之后 电源 向上. 如果 这
Bok 标记 是
设置, 这 第一 写 attempted 将 是 blocked. 这
标记 是 automatically cleared 之后 这 第一 写, 和
正常的 内存 运作 重新开始. 图示 9 illus-
trates 如何 一个
Bok 审查 routine 可以 是 struc-
tured.
电源 供应 解耦 和 下面-
shoot 保护
I
CC
过往旅客, 包含 那些 生产 用 输出
切换, 能 生产 电压 fluctuations, 结果-
ing 在 尖刺 在 这 v
CC
总线. 这些 过往旅客 能
是 减少 如果 电容 是 使用 至 store 活力,
这个 stabilizes 这 v
CC
总线. 这 活力 贮存 在
这 绕过 电容 将 是 released 作 低 going
尖刺 是 发生 或者 活力 将 是 absorbed
当 overshoots 出现. 一个 陶瓷的 绕过 capaci-
tor 值 的 0.1
µ
f (作 显示 在 图示 10) 是
推荐 在 顺序 至 提供 这 需要 过滤-
ing.
在 增加 至 过往旅客 那 是 造成 用 正常的
sram 运作, 电源 cycling 能 发生
负的 电压 尖刺 在 v
CC
那 驱动 它 至
值 在下 v
SS
用 作 更 作 一个 volt. 这些
负的 尖刺 能 导致 数据 corruption 在 这
sram 当 在 电池 backup 模式. 至 保护
从 这些 电压 尖刺, 它 是 recommeded 至
连接 一个 肖特基 二极管 从 v
CC
至 v
SS
(cathode
连接 至 v
CC
, anode 至 v
SS
). 肖特基 二极管
1n5817 是 推荐 为 通过 孔 和
mbrs120t3 是 推荐 为 表面 挂载.
读 数据
在 任何 地址
AI00607
是 数据
COMPLEMENT
的 第一
读?
(电池 ok)
电源-向上
YES
非
写 数据
complement 后面的
至 一样 地址
读 数据
在 一样
地址 又一次
notify 系统
的 低 电池
(数据 将 是
corrupted)
写 原来的
数据 后面的 至
一样 地址
(电池 低)
CONTINUE
图示 9. checking 这bok 标记 状态
AI02169
V
CC
0.1
µ
F 设备
V
CC
V
SS
图示 10. 供应 电压 保护
9/12
m48z02, m48z12
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