M48Z128, M48Z128Y
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图示 2. 插件 连接
A1
A0
DQ0
A7
A4
A3
A2
A6
A5
A13
A10
A8
A9
DQ7
A15
A11
G
E
DQ5DQ1
DQ2
DQ3V
SS
DQ4
DQ6
A16
NC V
CC
AI01195
M48Z128
M48Z128Y
10
1
2
5
6
7
8
9
11
12
13
14
15
16
30
29
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A12
A14
W
NC3
4
28
27
32
31
表格 2. 绝对 最大 比率
(1)
便条: 1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 ”Absolute 最大 Ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力
比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 部分
的 这个 规格 是 不 暗指. Exposure 至 这 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 的 time 将 影响
可靠性.
2. 焊接 温度 不 至 超过 260
°
C 为 10 秒 (总的 热的 budget 不 至 超过 150
°
C 为 变长 比 30 秒).
提醒:
负的 undershoots 在下 –0.3v 是 不 允许 在 任何 管脚 当 在 这 电池 后面的-向上 模式.
表格 3. 运行 模式
便条: 1. X = V
IH
或者 V
IL
;v
所以
= 电池 后面的-向上 Switchover 电压.
标识 参数 值 单位
T
一个
包围的 运行 温度 0 至 70
°
C
T
STG
存储 温度 (v
CC
止)
–40 至 70
°
C
T
偏差
温度 下面 偏差 –10 至 70
°
C
T
SLD
(2)
含铅的 焊盘 温度 为 10 秒 260
°
C
V
IO
输入 或者 输出 电压 –0.3 至 7 V
V
CC
供应 电压 –0.3 至 7 V
Mode
V
CC
E G W dq0-dq7 电源
Deselect
4.75v to 5.5v
或者
4.5v 至 5.5v
V
IH
X X 高 Z Standby
Write
V
IL
X
V
IL
D
在
起作用的
读
V
IL
V
IL
V
IH
D
输出
起作用的
读 V
IL
V
IH
V
IH
高 Z 起作用的
Deselect
V
所以
至 V
PFD
(最小值)
X X X 高 Z CMOS 备用物品
Deselect
≤
V
所以
X X X 高 Z 电池 后面的-向上 模式
描述
这 m48z128/128y ZEROPOWER
内存 是 一个
128 Kbit x8 非-易变的 静态的 内存 那 integrates
电源-失败 deselect 电路系统 和 电池 控制
逻辑 在 一个 单独的 消逝. 这 大而单一的 碎片 是 avail-
能 在 二 特定的 包装 至 提供 一个 高级地 在-
tegrated 电池 backed-向上 记忆 解决方案.
这 m48z128/128y 是 一个 非-易变的 管脚 和 func-
tion 相等的 至 任何 电子元件工业联合会 标准 128K x8
sram. 它 也 容易地 合适的 在 许多 只读存储器, 非易失存储器,
和 可擦可编程只读存储器 插座, 供应 这 非-volatility
的 PROMs 没有 任何 必要条件 为 特定的
写 定时 或者 限制 在 这 号码 的 写
那 能 是 执行. 这 32 管脚 600mil 插件
单元 houses 这 m48z128/128y 硅 和 一个
长 生命 lithium button cell 在 一个 单独的 包装.
为 表面 挂载 环境 ST 提供 一个 碎片
设置 解决方案 consisting 的 一个 28 管脚 330mil SOIC
NVRAM Supervisor (m40z300) 和 一个 32 管脚 TSOP
(8 x 20mm) LPSRAM (m68z128) 包装.
这 28 管脚 330mil SOIC 提供 插座 和
金 镀有 联系 在 两个都 ends 为 直接 con-
nection 至 一个 独立的 SNAPHAT housing 包含-
ing 这 电池.
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