m58bw016bt, m58bw016bb, m58bw016dt, m58bw016db
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summary 描述
这 m58bw016b/d 是 一个 16mbit 非-易变的 flash
记忆 那 能 是 erased 用电气 在 这 块
水平的 和 编写程序 在-系统 在 一个 翻倍-
文字 基准 使用 一个 2.7v 至 3.6v v
DD
供应 为 这
电路 和 一个 v
DDQ
供应 向下 至 2.4v 为 这 在-
放 和 输出 缓存区. optionally 一个 12v v
PP
sup-
ply 能 是 使用 至 提供 快 程序 和 擦掉
为 一个 限制 时间 和 号码 的 程序/擦掉 cy-
cles.
这 设备 支持 异步的 (获得 con-
trolled 和 页 读) 和 同步的 总线 运算-
erations. 这 同步的 burst 读 接口
准许 一个 高 数据 转移 比率 控制 用 这
burst 时钟, k, 信号. 它 是 有能力 的 bursting
fixed 或者 unlimited 长度 的 数据. 这 burst 类型,
latency 和 长度 是 configurable 和 能 是
容易地 adapted 至 一个 大 多样性 的 系统 时钟
发生率 和 微处理器. 所有 写 是
异步的. 在 电源-向上 这 记忆 defaults
至 读 模式 和 一个 异步的 总线.
这 设备 有 一个 激励 块 architecture 和 一个
排列 的 8 参数 块 的 64kb 各自 和 31
主要的 blocks 的 512kb 各自. 这 参数 blocks
能 是 located 在 这 顶 的 这 地址 空间,
m58bw016bt, m58bw016dt 或者 在 这 bottom,
m58bw016bb, m58bw016db.
程序 和 擦掉 commands 是 写 至 这
command 接口 的 这 记忆. 一个 在-碎片
程序/擦掉 控制 使简化 这 处理 的
程序编制 或者 erasing 这 记忆 用 带去
小心 的 所有 的 这 特定的 行动 那 是 re-
quired 至 更新 这 记忆 内容. 这 终止 的
一个 程序 或者 擦掉 运作 能 是 发现 和
任何 错误 情况 identified 在 这 状态 regis-
ter. 这 command 设置 必需的 至 控制 这
记忆 是 consistent 和 电子元件工业联合会 standards.
擦掉 能 是 suspended 在 顺序 至 执行 也
读 或者 程序 在 任何 其它 块 和 然后 re-
sumed. 程序 能 是 suspended 至 读 数据
在 任何 其它 块 和 然后 resumed. 各自 块
能 是 编写程序 和 erased 在 100,000 cy-
cles.
所有 blocks 是 保护 在 电源-向上. 这
m58bw016b 特性 四 不同的 水平 的 块
保护 至 避免 unwanted 程序/擦掉 oper-
ations. 这 wp
管脚 提供 一个 硬件 保护
在 二 的 这 参数 blocks 和 所有 的 这 主要的
blocks. 这 程序 和 擦掉 commands 能
是 password 保护 用 这 tuning 保护
command. 所有 程序 或者 擦掉 行动 是
blocked 当 重置, rp,
是 使保持 低. 这
m58bw016d 提供 这 一样 保护 特性
和 这 例外 的 这 tuning 块 保护
这个 是 无能 在 这 工厂.
一个 重置/电源-向下 模式 是 entered 当 这
RP
输入 是 低. 在 这个 模式 这 电源 consump-
tion 是 更小的 比 在 这 正常的 备用物品 模式, 这
设备 是 写 保护 和 两个都 这 状态 和
这 burst 配置 寄存器 是 cleared. 一个
恢复 时间 是 必需的 当 这 rp
输入 变得
高.
这 记忆 是 offered 在 pqfp80 (14 x 20mm)
和 lbga80 (1.0mm 程度) 包装 和 它 是
有提供的 和 所有 这 位 erased (设置 至 ’1’).
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