8月. 1999
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m54564p/fp
8-单位 500ma 源 类型 darlington 晶体管 排列
绝对 最大 比率
(除非 否则 指出, ta = –20 ~ +75
°
c)
–0.5 ~ +50
50
–0.5 ~ +30
–500
1.79(p)/1.10(fp)
–20 ~ +75
–55 ~ +125
V
CEO
V
S
V
I
I
O
P
d
T
opr
T
stg
V
V
V
毫安
W
°
C
°
C
µ
一个
毫安
—
—
—
—
—
—
I
s (leak)
I
S
—
—
—
0
2.4
0
V
S
V
IH
V
IL
V
V
V
50
25
0.2
参数
限制
标识
单位
I
O
0
0
—
—
–350
–100
毫安
V
毫安
V
ce (sat)
I
I
100
2.4
2.0
0.7
6.5
5.0
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值
+
最大值
—
1.6
1.45
0.4
2.9
—
比率 单位标识 参数 情况
集电级-发射级 电压
供应 电压
输入 电压
输出 电流
电源 消耗
运行 温度
存储 温度
输出, l
电流 每 电路 输出, h
ta = 25
°
c, 当 挂载 在 板
推荐 运行 情况
(除非 否则 指出, ta = –20 ~ +75
°
c)
供应 电压
职责 循环
p : 非 更多 比 8%
fp : 非 更多 比 5%
职责 循环
p : 非 更多 比 55%
fp : 非 更多 比 30%
输出 电流
(电流 每 1 cir-
cuit 当 8 电路
是 coming 在 si-
multaneously)
“h” 输入 电压
“l” 输入 电压
最小值 典型值 最大值
电的 特性
(除非 否则 指出, ta = –20 ~ +75
°
c)
V
S
= 50v, v
I
= 0.2v
V
S
= 10v, v
I
= 2.4v, i
O
= –350ma
V
S
= 10v, v
I
= 2.4v, i
O
= –100ma
V
I
= 5v, v
S
= 10v
V
I
= 25v, v
S
= 30v
V
S
= 50v, v
I
= 5v
供应 leak 电流
供应 电流
集电级-发射级 饱和 电压
输入 电流
+
: 这 典型 值 是 那些 量过的 下面 包围的 温度 (ta) 的 25
°
c. 那里 是 非 保证 那 这些 值 是 得到 下面 任何
情况.
ns
ns
t
在
t
止
—
—
185
4300
—
—
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
转变-在 时间
转变-止 时间
C
L
= 15pf (便条 1)
切换 特性
(除非 否则 指出, ta = 25
°
c)
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