8月. 1999
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m54585p/fp
8-单位 500ma darlington 晶体管 排列 和 clamp 二极管
绝对 最大 比率
(除非 否则 指出, ta = –20 ~ +75
°
c)
50
—
—
—
—
—
—
1000
—
1.3
1.0
0.95
8.7
1.5
—
2500
—
2.4
1.6
1.8
18
2.4
100
—
V
V
µ
一个
—
V
毫安
V
ce (sat)
I
I
V
毫安
V
毫安
V
W
°
C
°
C
–0.5 ~ +50
500
–0.5 ~ +30
500
50
1.79(p)/1.10(fp)
–20 ~ +75
–55 ~ +125
V
V
V
O
V
IL
参数
—
—
—
—
0
3.85
3.4
0
50
0.6
限制
标识 单位
I
C
V
IH
0
0
—
—
400
200
30
毫安
V
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值
+
最大值
+
: 这 典型 值 是 那些 量过的 下面 包围的 温度 (ta) 的 25
°
c. 那里 是 非 保证 那 这些 值 是 得到 下面 任何
情况.
ns
ns
t
在
t
止
—
—
12
240
—
—
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
V
CEO
I
C
V
I
I
F
V
R
P
d
T
opr
T
stg
比率 单位标识 参数 情况
集电级-发射级 电压
集电级 电流
输入 电压
夹紧 二极管 向前 电流
夹紧 二极管 反转 电压
电源 消耗
运行 温度
存储 温度
输出, h
电流 每 电路 输出, l
ta = 25
°
c, 当 挂载 在 板
推荐 运行 情况
(除非 否则 指出, ta = –20 ~ +75
°
c)
最小值 典型值 最大值
输出 电压
职责 循环
p : 非 更多 比 6%
fp : 非 更多 比 4%
I
C
≤
400mA
I
C
≤
200mA
“h” 输入 电压
“l” 输入 电压
集电级 电流
(电流 每 1 cir-
cuit 当 8 电路
是 coming 在 si-
multaneously)
职责 循环
p : 非 更多 比 34%
fp : 非 更多 比 20%
电的 特性
(除非 否则 指出, ta = –20 ~ +75
°
c)
V
(br) ceo
V
F
I
R
h
FE
I
CEO
= 100
µ
一个
V
I
= 3.85v, i
C
= 400ma
V
I
= 3.4v, i
C
= 200ma
V
I
= 3.85v
V
I
= 25v
I
F
= 400ma
V
R
= 50v
V
CE
= 4v, i
C
= 350ma, ta = 25
°
C
集电级-发射级 损坏 电压
夹紧 二极管 向前 电压
夹紧 二极管 反转 电流
直流 放大器 因素
集电级-发射级 饱和 电压
输入 电流
切换 特性
(除非 否则 指出, ta = 25
°
c)
转变-在 时间
转变-止 时间
C
L
= 15pf (便条 1)
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