三月.2002
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m54587p/fp
8-单位 500ma darlington 晶体管 排列 和 clamp 二极管
职责 循环 (%)
集电级 电流 ic (毫安)
0
0
200
100
300
400
500
20 40 60 80 100
职责 循环-集电级 特性
(m54587fp)
1
2
7
3
4
5
8
6
•
这 集电级
cu
rrent 值
代表 这 电流 每 电路.
•
重复的 频率
≥
10Hz
•
这 值 这 circle 代表 这
值 的 这 同时发生地-运作 电路.
•
vcc = 5v
•
ta = 25
°
C
职责 循环 (%)
集电级 电流 ic (毫安)
0
0
200
100
300
400
500
20 40 60 80 100
职责 循环-集电级 特性
(m54587fp)
1
2
7
3
4
5
8
6
•
这 集电级
电流 值
代表 这
电流 每 电路.
•
重复的 频率
≥
10Hz
•
这 值 这 circle 代表 这 值 的 这
同时发生地-运作 电路.
•
vcc = 5v
•
ta = 75
°
C
集电级 电流 i
C
(毫安)
直流 放大器 因素 h
FE
直流 放大器 因素
集电级 电流 特性
10
2
10
3
3
5
7
10
4
3
5
7
10
1
10
2
357
10
3
357
V
CC
= 5v
V
CE
= 4v
ta =
–
20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
供应 电压 vcc (v)
供应 电流 icc (毫安)
0246810
0
2
1
3
4
5
驱动器 供应 特性
V
I
= 0v
ta =
–
20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
iinput 电压 vcc-v
I
(v)
输入 电流 i
I
(毫安)
012345
0
–
0.4
–
0.2
–
0.6
–
0.8
–
1.0
输入 特性
V
CC
= 5v
ta =
–
20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
输入 电压 vcc-v
I
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
0
0
200
100
300
400
500
1234
输出 电流 特性
V
CC
= 4v
V
CE
= 4v
ta =
–
20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
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