ii. 制造 信息
一个. description/函数: 低-电源, 低-glitch, octal 10-位 电压-输出 dacs 和 串行 接口
b. 处理: S6(标准0.6micron 硅 门 cmos)
c. 号码 的 设备 晶体管: 19,000
d. fabrication location:California, usa
e. 组装 location: 马来西亚或者 泰国
f. 日期 的 最初的 生产: July, 2001
iii. 包装 信息
一个. 包装 类型:
16-管脚 tssop
b. 含铅的 框架: 铜
c. 含铅的完成: 焊盘 加设护板
d. 消逝 连结: Silver-Filled环氧的
e. bondwire: 金 (1mil dia.)
f. 模型 材料: 环氧的 和 silica filler
g. 组装 图解: #05-3901-0002
h. flammability 比率: 类UL94-V0
i. 分类 的 潮气 敏锐的
每 电子元件工业联合会 standard j-标准-020-一个:水平的 1
iv. 消逝 信息
一个. 维度: 102 x 141毫英寸
b. passivation: Si
3
N
4
/sio
2
(硅 渗氮/ 硅 dioxide)
c.interconnect: 铝/si (si = 1%)
d. backside 敷金属: 毫无
e. 最小 metal 宽度: 0.6microns (作 描绘)
f. 最小 metal 间隔: 0.6microns (作 描绘)
g. bondpad 维度: 5 mil. sq.
h. 分开 dielectric: SiO
2
i. 消逝 分离 方法: 薄脆饼 锯