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资料编号:1017993
 
资料名称:MAX6366LKA31-T
 
文件大小: 221K
   
说明
 
介绍:
SOT23, Low-Power レP Supervisory Circuits with Battery Backup and Chip-Enable Gating
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MAX6365–MAX6368
sot23, 低-电源 µp supervisory 电路
和 电池 backup 和 碎片-使能 gating
8 _______________________________________________________________________________________
MAX6365
MAX6366
MAX6367
MAX6368
碎片-使能
输出
控制
V
CC
BATT
ce 在
20k
MR
(max6365 仅有的)
WDI
(max6366 仅有的)
重置 在
(max6368 仅有的)
重置
发生器
看门狗
转变
探测器
看门狗
计时器
1.235v
1.235v
重置
(重置)
ce 输出
输出
batt 在 (max6367 仅有的)
详细地 描述
典型 运行 电路
显示 一个 典型 connec-
tion 为 这 max6365
max6368. 输出 powers 这 静态的
随机的-进入 记忆 (sram). 如果 v
CC
是 更好 比
这 重置 门槛 (v
TH
), 或者 如果 v
CC
是 更小的 比 v
TH
但是 高等级的 比 v
BATT
, v
CC
是 连接 至 输出. 如果
V
CC
是 更小的 比 v
TH
和 v
CC
是 较少 比 v
BATT
,
batt 是 连接 至 输出. 输出 供应 向上 至 150ma
从 v
CC
. 在 电池-backup 模式, 一个 内部的 场效应晶体管
connects 这 backup 电池 至 输出. 这 在-阻抗
的 这 场效应晶体管 是 一个 函数 的 backup-电池 电压
和 是 显示 在 这 batt-至-输出 在-阻抗 vs.
温度 图表 在 这
典型 运行 char-
acteristics
.
碎片-使能 信号 gating
这 max6365
max6368 提供 内部的 gating 的
CE
信号 至 阻止 erroneous 数据 从 正在 写 至
cmos 内存 在 这 事件 的 一个 电源 失败. 在 也不-
mal 运作, 这
CE
门 是 使能 和 passes 所有
CE
transitions. 当 重置 asserts, 这个 path 变为
无能, 阻止 erroneous 数据 从 corrupting
这 cmos 内存. 所有 的 这些 设备 使用 一个 序列 trans-
使命 门 从
CE
在 至
CE
输出. 这 2ns propaga-
tion 延迟 从
CE
在 至
CE
输出 准许 这 设备 至
是 使用 和 大多数 µps 和 高-速 dsps.
在 正常的 运作,
CE
在 是 连接 至
CE
输出 通过 一个 低 在-阻抗 传递 门.
这个 是 有效的 当 重置 是 不 asserted. 如果
CE
在 是 高
当 重置 是 asserted,
CE
输出 仍然是 高 关于-
较少 的 任何 subsequent transitions 在
CE
在 在 这
重置 事件.
如果
CE
在 是 低 当 重置 是 asserted,
CE
输出 是 使保持
低 为 12µs 至 准许 completion 的 这 读/写 oper-
ation (图示 1). 之后 这 12µs 延迟 expires, 这
CE
函数的 图解
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