碎片-使能 信号 gating
这 max791 提供 内部的 gating 的 碎片-使能
(ce) 信号, 至 阻止 erroneous 数据 从 corrupting
这 cmos 内存 在 这 事件 的 一个 电源 失败. 在
正常的 运作, 这 ce 门 是 使能 和 passes
所有 ce transitions. 当 重置 是 asserted, 这个 path
变为 无能, 阻止 erroneous 数据 从
corrupting 这 cmos 内存. 这 max791 使用 一个 序列
传递 门 从 这 碎片-使能 输入 (ce 在) 至
CE 输出 (图示 1).
这 10ns 最大值 ce 传播 从 ce 在 至 ce 输出
使能 这 max791 至 是 使用 和 大多数 µps.
碎片-使能 输入
CE 在 是 高 阻抗 (无能 模式) 当 重置
是 asserted.
在 一个 电源-向下 sequence 是 v
CC
passes
4.65v, ce 在 假设 一个 高-阻抗 状态 当
这 电压 在 ce 在 变得 高 或者 15µs 之后 重置 是
asserted, whichever occurs 第一 (图示 7).
在 一个 电源-向上 sequence, ce 在 仍然是 高
阻抗, regardless 的 ce 在 activity, 直到 重置 是
deasserted 下列的 这 重置-timeout 时期.
在 这 高-阻抗 模式, 这 泄漏 电流 在
这个 输入 是 ±1µa 最大值 在 温度. 在 这 低-
阻抗 模式, 这 阻抗 的 ce 在 呈现 作
一个 75
Ω
电阻 在 序列 和 这 加载 在 ce 输出.
这 传播 延迟 通过 这 ce 传递
门 取决于 在 两个都 这 源 阻抗 的 这
驱动 至 ce
在 和 这 电容的 加载 在 ce 输出
(看 这 碎片-使能 传播 延迟 vs. ce 输出
加载 电容 图表 在 这
典型 运行
特性
). 这 ce 传播 延迟 是 produc-
tion 测试 从 这 50% 要点 在 ce 在 至 这 50%
要点 在 ce 输出 使用 一个 50
Ω
驱动器 和 50pf 的 加载
电容 (图示 8). 为 最小 传播
延迟, 降低 这 电容的 加载 在 ce 输出 和 使用
一个 低 输出-阻抗 驱动器.
碎片-使能 输出
在 这 使能 模式, 这 阻抗 的 ce 输出 是
相等的 至 75
Ω
在 序列 和 这 源 驱动 ce
在. 在 这 无能 模式, 这 75
Ω
传递 门 是
止 和 ce 输出 是 actively 牵引的 至 v
输出
. 这个 源
转变 止 当 这 传递 门 是 使能.
LOWLINE 输出
这 低-线条 比较器 monitors v
CC
和 一个 典型
门槛 电压 150mv 在之上 这 重置 门槛,
和 有 15mv 的 hysteresis. lowline 典型地 sinks
3.2ma 在 0.1v. 为 正常的 运作 (v
CC
在之上 这
LOWLINE 门槛), lowline 是 牵引的 至 v
输出
. 如果
进入 至 这 无秩序的 供应 是 无法得到, 使用
LOWLINE 至 提供 一个 nonmaskable 中断 (nmi) 至
这 µp 作 v
CC
begins 至 下降 (图示 9a).
MAX791
微处理器 supervisory 电路
______________________________________________________________________________________ 11
V
CC
ce 在
RESET
门槛
ce 输出
重置
重置
100
µ
s
15
µ
s
100
µ
s
图示 7. 重置 和 碎片-使能 定时
MAX791
ce 在
C
加载
ce 输出
地
+5V
50
Ω
驱动器
V
CC
图示 8. ce 传播 延迟 测试 电路
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