max649/max651/max652
5v/3.3v/3v 或者 可调整的, 高-效率,
低 i
Q
, 步伐-向下 直流-直流 控制者
_______________________________________________________________________________________ 7
_______________详细地 描述
这 max649/max651/max652 是 bicmos, 步伐-
向下, 转变-模式 电源-供应 控制者 那 pro-
vide fixed 输出 的 5v, 3.3v, 和 3v, 各自.
它们的 唯一的 控制 scheme 结合 这 有利因素
的 脉冲波-频率-调制 (低 供应 电流)
和 脉冲波-宽度-调制 (高 效率 在 高
负载). 一个 外部 p-频道 电源 场效应晶体管 准许
顶峰 电流 在 excess 的 3a, 增加 这 输出
电流 能力 在 previous pfm 设备. 图示 2
是 这 块 图解.
这 max649/max651/max652 提供 三 主要的
改进 在 较早的 解决方案:
1) 这 转换器 运作 和 tiny (较少 比 9mm
直径) 表面-挂载 inductors, 预定的 至 它们的
300khz 切换 频率.
2) 这 电流-限制 pfm 控制 scheme 准许
更好 比 90% efficiencies 在 一个 宽 范围 的
加载 电流 (1.0ma 至 1.5a).
3) 这 最大 供应 电流 是 仅有的 100µa.
pfm 控制 scheme
这 max649/max651/max652 使用 一个 专卖的, cur-
rent-限制 pfm 控制 scheme. 作 和 传统的
pfm 转换器, 这 外部 电源 场效应晶体管 是 转变
在 当 这 电压 比较器 senses 那 这 输出
是 输出 的 规章制度. 不管怎样, 不像 传统的 pfm
转换器, 切换 是 accomplished 通过 这
结合体 的 一个 顶峰 电流 限制 和 一个 一双 的 一个-
shots 那 设置 这 最大 转变 在-时间 (16µs) 和
最小 转变 止-时间 (2.3µs). once 止, 这 最小
止-时间 一个-shot holds 这 转变 止 为 2.3µs. 之后
这个 最小 时间, 这 转变 也 1) stays 止 如果 这
输出 是 在 规章制度, 或者 2) 转变 在 又一次 如果 这 输出
是 输出 的 规章制度.
这 max649/max651/max652 也 限制 这 顶峰 induc-
tor 电流, 这个 准许 它们 至 run 在 持续的-con-
duction 模式 和 维持 高 效率 和 重的 负载
(图示 3a). 这个 电流-限制的 特性 是 一个 关键 混合-
nent 的 这 控制 电路系统. once 转变 在, 这 转变
stays 在 直到 也 1) 这 最大 在-时间 一个-shot 转变
它 止 (16µs 后来的), 或者 2) 这 电流 限制 是 reached.
至 增加 明亮的-加载 效率, 这 电流 限制 为
这 第一 二 脉冲 是 设置 至 half 这 顶峰 电流 限制.
如果 那些 脉冲 bring 这 输出 电压 在 规章制度,
这 电压 比较器 holds 这 场效应晶体管 止 和 这
电流 限制 仍然是 在 half 它的 顶峰. 如果 这 输出 vol-
tage 是 安静的 输出 的 规章制度 之后 二 脉冲, 这
电流 限制 为 这 next 脉冲波 是 raised 至 它的 顶峰 (图示
3b). 计算 这 顶峰 电流 限制 用 dividing 这
电流-限制 trip 水平的 (看
电的 特性
)
用 这 值 的 这 电流-sense 电阻.
关闭 模式
当 shdn 是 高, 这 max649/max651/max652 enter
关闭 模式. 在 这个 模式, 这 内部的 偏置 电路-
ry 是 转变 止 (包含 这 涉及) 和 这 供应
电流 drops 至 较少 比 5µa. ext 变得 高, turning 止
这 外部 场效应晶体管. shdn 是 一个 ttl/cmos 逻辑-水平的
输入. 连接 shdn 至 地 为 正常的 运作.
安静的 电流
在 正常的 运作, 这 安静的 电流 是 较少 比
100µa. 不管怎样, 这个 电流 是 量过的 用 forcing
这 外部 晶体管 转变 止. 在 一个 真实的 applica-
tion, 甚至 和 非 加载, 额外的 电流 是 描绘 至
供应 外部 反馈 电阻器 (如果 使用) 和 这
二极管 和 电容 泄漏 电流. 在 这 电路 的
图示 1, 和 v+ 在 5v 和 v
输出
在 3.3v, 这 典型
安静的 电流 是 90µa.
ext 驱动 电压 范围
ext swings 从 v+ 至 地 和 提供 这 驱动 输出-
放 为 一个 外部 p-频道 电源 场效应晶体管.
模式 的 运作
当 传送 高 输出 电流, 这 max649/
max651/max652 运作 在 持续的-传导
模式 (ccm). 在 这个 模式, 电流 总是 flows 在 这
MAX649
MAX651
MAX652
V+
CS
FB 地
5
6
28
3
V
在
C2
330
µ
F
7
1
EXT
输出
SHDN
4
C3
0.1
µ
F
C4
0.1
µ
F
C1
100
µ
F
R1
0.1
Ω
D1
NSQ03A02L
L1
22
µ
H
**
P1
Si9430
*
输出
@ 1.5a
*
siliconix 表面-挂载 场效应晶体管
**
sumida cdr125-220
REF
图示 1. 测试 电路
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